[发明专利]带密封垫圈加强结构的半导体器件及具有其的电子设备有效
申请号: | 201811551346.5 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN111341732B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 张孟伦;庞慰;杨清瑞 | 申请(专利权)人: | 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/16 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封 垫圈 加强 结构 半导体器件 具有 电子设备 | ||
本发明涉及一种用于半导体器件的封装结构,所述半导体器件包括对置的功能基底和封装基底,所述功能基底设置有功能器件,所述封装结构包括:密封垫圈结构,所述密封垫圈结构适于设置在所述功能基底与所述封装基底之间,功能基底、封装基底与密封垫圈结构适于围合成容纳空间,所述功能器件适于设置在所述容纳空间内,其中:所述密封垫圈结构包括第一密封垫圈以及封装加强结构。本发明也涉及一种具有该封装结构的半导体器件以及具有该半导体器件的电子设备。
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种具有密封垫圈结构的半导体器件,以及一种具有该半导体器件的电子设备。
背景技术
图1与图2示出了现有技术中的薄膜体声波谐振器的封装结构的示意图。如图2所示,该封装结构包括功能基底F212(对应于图1中的F202),封装基底C111;构建于功能基底F212之上的核心功能部分F211(对应于图1中的F201);封装基底C111在靠近自身边缘的两侧各形成单个凸起(垫圈结构)GK100,并且在该凸起上覆盖有粘附层F214;在F212与凸起GK100相对的表面同样覆盖有粘附层F213(对应于图1中的F203)。
进行封装时,功能基底F212和封装基底C111在高温和压力的作用下通过粘附层形成一个整体,从而将核心功能部分F211(F201)封闭在空间C115之中。不过,上述的单一垫圈结构存在如下问题:(1)对封装时形成的剪切应变抗性不足;(2)封装后可靠性不足。
此外,滤波器的技术指标通常对最终的封装成型的结构的外形尺寸有一定要求,而该要求通常是基于现有的满足一定的性能指标要求的谐振器核心器件的尺寸设定的,这导致在核心器件周围没有足够的空间添加封装改进结构。
发明内容
为缓解或解决使用现有技术中的上述问题的至少一个方面,提出本发明。
本发明提出了用于半导体器件的封装结构,所述半导体器件包括对置的功能基底和封装基底,所述功能基底设置有功能器件,所述封装结构包括:密封垫圈结构,所述密封垫圈结构适于设置在所述功能基底与所述封装基底之间,功能基底、封装基底与密封垫圈结构适于围合成容纳空间,所述功能器件适于设置在所述容纳空间内,其中:所述密封垫圈结构包括第一密封垫圈以及封装加强结构。
可选的,所述封装加强结构包括第二密封垫圈。
可选的,所述第二密封垫圈与第一密封垫圈间隔开设置。
可选的,第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度范围为10-150μm,且两者之间的距离范围为10-150μm。进一步可选的,第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度彼此不同。可选的,第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度范围为20-100μm,且两者之间的距离范围为20-100μm。
可选的,所述第一密封垫圈和第二密封垫圈均为矩形密封垫圈。
可选的,第一密封垫圈与第二密封垫圈之间设置有连接在两者之间的多个连接肋,所述多个连接肋将第一密封垫圈与第二密封垫圈之间的空间分为多个独立密封子空间。
可选的,第一密封垫圈与第二密封垫圈均为矩形垫圈;所述多个独立密封子空间包括多个条形密封空间。
或者可选的,第一密封垫圈为矩形密封垫圈,所述第二密封垫圈为椭圆形密封垫圈或者圆形密封垫圈且设置在第一密封垫圈之内;所述多个独立密封子空间包括多个三角形密封空间。进一步的,所述多个独立密封子空间包括至少8个三角形密封空间。
可选的,所述封装加强结构包括具有波浪曲线边缘的第二密封垫圈,所述第二密封垫圈与第一密封垫圈在所述波浪曲线边缘的波峰或者波谷处相接,且第一密封垫圈与第二密封垫圈之间形成多个独立的密封子空间。可选的,所述第一密封垫圈的内角为圆角;且所述密封子空间为类三角形状且内角为圆角。
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