[发明专利]一种半导体发光器件

说明书

本发明涉及一种半导体发光器件，包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上，缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；低温氮化镓层，位于缓冲层上；N型半导体层，位于低温氮化镓层上；N型掺杂层，位于N型半导体层上；量子阱发光层，位于N型掺杂层上；电子阻挡层，位于量子阱发光层上，电子阻挡层包括依次层叠于量子阱发光层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层；P型掺杂层，位于电子阻挡层上；P型半导体层，位于P型掺杂层上。本发明通过在衬底层上生长三层缓冲层能够最大限度的阻挡缺陷，从而提高发光二极管的发光质量。并且能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至P型半导体层，改善发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及发光元件技术领域，特别是涉及一种半导体发光器件。

背景技术

相较于冷阴极管等传统光源而言，由于LED(Light Emitting Diode，发光二极管)封装组件具有体积小、耗电量低、高亮度、高度色彩表现、反应速度快(可高频操作)、环保(耐震、耐冲击不易破、可回收)和易开发成轻薄短小的产品等优点，因此使得LED光源占有一定的市场优势。

目前，发光二极管一般包括衬底层、缓冲层、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层。其中，N型半导体层用于提供电子；P型半导体层用于提供空穴，当有电流通过时，N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴进入多量子阱发光层复合发光。

但是，目前发光二极管中的缓冲层不能有效的对缺陷起到有效的阻挡作用，使得缺陷会延伸到N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层，严重影响发光二极管的发光质量；并且由于电子的移动能力远远高于空穴，因此N型半导体层产生的电子可以快速进入量子阱发光层，多于的电子将从量子阱发光层跃迁至P型半导体层，从而使得电子与空穴发生非辐射复合，影响发光二极管的发光效率。

发明内容

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种半导体发光器件。

具体地，本发明一个实施例提出的一种半导体发光器件，包括：

衬底层；

缓冲层，位于所述衬底层上，其中，所述缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层依次层叠于所述衬底层上；

低温氮化镓层，位于所述缓冲层上；

N型半导体层，位于所述低温氮化镓层上；

N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；

量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；

电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上，所述电子阻挡层包括依次层叠于量子阱发光层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层；

P型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；

P型半导体层，位于所述P型掺杂层上。

在本发明的一个实施例中，所述第一缓冲层和所述第三缓冲层均为GaN缓冲层，所述第二缓冲层为AlN缓冲层。

在本发明的一个实施例中，所述第一缓冲层的厚度大于所述第二缓冲层的厚度，所述第二缓冲层的厚度大于所述第三缓冲层的厚度。

在本发明的一个实施例中，所述第一电子阻挡层的材料为Al_x1In_yGa_1-x1-yN，所述第二电子阻挡层的材料为Al_x2Ga_1-x2N，所述第三电子阻挡层的材料为Al_x3In_1-x3P，其中，0x1≤0.4，0y≤0.2，0x20.7，0x30.5。

在本发明的一个实施例中，所述第一电子阻挡层的厚度为100-200nm。