[发明专利]一种半导体发光器件在审
| 申请号： | 201811525667.8 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326623A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：
衬底层(11)；
缓冲层(12)，位于所述衬底层(11)上，其中，所述缓冲层(12)包括第一缓冲层(121)、第二缓冲层(122)和第三缓冲层(123)，所述第一缓冲层(121)、所述第二缓冲层(122)和所述第三缓冲层(123)依次层叠于所述衬底层(11)上；
低温氮化镓层(13)，位于所述缓冲层(12)上；
N型半导体层(14)，位于所述低温氮化镓层(13)上；
N型掺杂层(15)，位于所述N型半导体层(14)上；
量子阱发光层(16)，位于所述N型掺杂层(15)上；
电子阻挡层(17)，位于所述量子阱发光层(16)上，所述电子阻挡层(17)包括依次层叠于量子阱发光层(16)上的第一电子阻挡层(171)、第二电子阻挡层(172)和第三电子阻挡层(173)；
P型掺杂层(18)，位于所述电子阻挡层(17)上；
P型半导体层(19)，位于所述P型掺杂层(18)上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一缓冲层(121)和所述第三缓冲层(123)均为GaN缓冲层，所述第二缓冲层(122)为AlN缓冲层。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一缓冲层(121)的厚度大于所述第二缓冲层(122)的厚度，所述第二缓冲层(122)的厚度大于所述第三缓冲层(123)的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述低温氮化镓层(13)的厚度为20-60nm。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一电子阻挡层(171)的材料为Alx1InyGa1-x1-yN，所述第二电子阻挡层(172)的材料为Alx2Ga1-x2N，所述第三电子阻挡层(173)的材料为Alx3In1-x3P，其中，0x1≤0.4，0y≤0.2，0x20.7，0x30.5。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一电子阻挡层(171)的厚度为100-200nm。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第二电子阻挡层(162)的厚度为60-100nm。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第三电子阻挡层(163)的厚度为20-50nm。
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