[发明专利]一种基于N型掺杂叠层和功能层的发光二极管

权利要求书

1.一种基于N型掺杂叠层和功能层的发光二极管，其特征在于，包括：

衬底层(11)；

缓冲层(12)，位于所述衬底层(11)上；

N型半导体层(13)，位于所述缓冲层(12)上；

N型掺杂叠层(14)，位于所述N型半导体层(13)上，所述N型掺杂叠层(14)包括若干第一N型掺杂层(141)和若干第二N型掺杂层(142)，其中，若干所述第一N型掺杂层(141)和若干所述第二N型掺杂层(142)依次层叠于所述N型半导体层(13)上，且所述第一N型掺杂层(141)的掺杂浓度大于所述第二N型掺杂层(142)；

量子阱发光层(15)，位于所述N型掺杂叠层(14)上；

功能层(16)，位于所述量子阱发光层(15)上，其中，所述功能层(16)包括依次层叠于量子阱发光层(15)上的电子阻挡层(161)、第一空穴注入层(162)和第二空穴注入层(163)，其中，所述第一空穴注入层(162)的厚度小于所述第二空穴注入层(163)的厚度；

P型掺杂层(17)，位于所述功能层(16)上；

P型半导体层(18)，位于所述P型掺杂层(17)上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一N型掺杂层(141)为N型InGaN层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一N型掺杂层(141)的掺杂元素为Si，所述第一N型掺杂层(141)的掺杂浓度为10¹⁸cm^-3-5×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二N型掺杂层(142)为N型AlGaN层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二N型掺杂层(142)的掺杂元素为Si，所述第二N型掺杂层(142)的掺杂浓度为10¹⁷cm^-3-5×10¹⁷cm^-3。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一N型掺杂层(141)和所述第二N型掺杂层(142)的掺杂浓度均低于N型半导体层(13)的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层(161)的材料为Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中，0x≤0.4，0y≤0.2。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一空穴注入层(162)为P型InGaN层。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二空穴注入层(163)为P型AlGaN层。