[发明专利]一种晶圆缺陷扫描方法有效
| 申请号： | 201811458460.3 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109560000B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王洲男;顾晓芳;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 扫描 方法 | ||
1.一种晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，包括以下步骤：
采集晶圆表面的光学图像；
将所述光学图像转换为像素网格；
处理所述像素网格表现出的灰阶值，得出灰阶图像；
根据所述灰阶图像中的相似灰阶分布，界定所述相似灰阶的灰阶值区间，从而在所述晶圆表面分类出不同材质的区域；
将所述灰阶值区间与晶圆表面的图形密度数据区间组合，在晶圆表面形成阶梯式灵敏度区域，并进行阶梯式缺陷扫描。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述灰阶值介于0至255之间。
3.如权利要求2所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述灰阶值区间的大小介于6至8之间。
4.如权利要求3所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，根据灰阶值区间分类出的不同材质的数量大于1。
5.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述图形密度数据区间为根据所述晶圆表面的图像进行图像处理分析得到的数据。
6.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，根据所述灰阶值区间与晶圆表面的图形密度数据区间的不同组合，对所述阶梯式灵敏度区域设定不同的扫描精度进行阶梯式缺陷扫描。
7.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，使用晶圆缺陷扫描机台采集所述晶圆表面的光学图像。
8.如权利要求7所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，还包括在采集晶圆表面的光学图像前，将扫描机台与所述晶圆对准的步骤。
9.如权利要求8所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，通过对所述光学图像进行数模转换，得到所述像素网格。
10.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述缺陷为化学机械研磨缺陷。
11.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述缺陷为湿法蚀刻缺陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
