[发明专利]一种半导体薄片背面加工工艺

说明书

本发明涉及电力电子技术领域，具体为一种用于半导体薄片加工的背面工艺。该工艺的具体实施方法为在减薄晶圆背面表面覆盖一层涂有光刻胶的膜，将膜、光刻胶、减薄晶圆三者贴紧后，使光刻胶均匀的涂在晶圆背面的表面上。该工艺相对于传统的半导体薄片晶圆背面工艺而言，不会由于背面涂胶的不均匀性而导致部分减薄晶圆面积的浪费，从而进一步的降低器件的生产成本，提高器件的良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体薄片背面加工工艺。

背景技术

在电力电子器件中，IGBT由于其较广的耐压范围，电流规格以及较快的开关速度，较低的通态损耗，从而得到了极其广泛的应用。随着IGBT技术的发展，IGBT芯片的厚度越来越薄，通常厚度小于400um的晶圆我们称之为减薄晶圆。此外在器件减薄后，某些新的技术还需要在薄片的背面进行光刻。例如，RC(逆导型)-IGBT，集电区浓度控制IGBT等新的器件结构。

当前晶圆背面减薄的最新技术，其在对晶圆进行背面减薄时，将保留晶圆外围的边缘部分(约为3mm技术)。通常会在晶圆外围留边，利用晶片本身维持自身形状，可以大幅降低晶圆的翘曲现象，提高晶圆强度，降低晶圆的碎片风险。

当对减薄晶圆进行背面光刻时，传统方法为直接在减薄晶圆背面表面涂胶，由于建薄晶圆的外围留边，将导致光刻胶在薄片晶圆背面表面外围处形成台阶，进一步的会使得光刻胶分布的不均匀。而光刻胶的不均匀，会导致离子注入的一致性下降，因此会损失部分晶圆外围面积，增加半导体器件的生产成本。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体薄片背面加工工艺。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种用于半导体薄片加工的背面工艺，其主要工艺顺序为：

A.将光刻胶均匀涂抹在一种特殊的膜的表面。该膜的材料为树脂或其他聚合物材料

B.将膜涂有光刻胶的一面对准晶圆，然后将膜覆盖在薄片晶圆背面表面。

C.使涂有光刻胶的膜贴紧在薄片晶圆背面表面形成膜、光刻胶、薄片晶圆三层结构

D.去除掉膜

E.在薄片晶圆背面表面光刻图形

为了降低半导体器件的生产成本，本发明先将光刻胶均匀涂在特殊的膜表面，再将膜与减薄晶圆背面表面贴紧，形成膜、光刻胶、晶圆背面表面三层结构，使得光刻胶能够均匀的涂在减薄晶圆的背面上，并在光刻胶腐蚀图形前，将膜取下。通过本发明工艺，减薄晶圆外围的光刻胶将不受台阶影响均匀的涂在整个减薄晶圆背面的表面，离子注入的一致性较高，损失的晶圆面积大大下降，使得半导体器件的生产成本降低。

本发明的有益效果在于：

附图说明

图1是传统减薄后IGBT背面工艺中晶圆背面减薄示意图；

图2是常规减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶工艺示意图；。

图3是常规减薄后IGBT背面工艺中离子注入工艺示意图；

图4是本发明减薄后IGBT背面工艺中晶圆背面减薄示意图；

图5是本发明减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶工艺示意图；

图6是本发明减薄后IGBT背面工艺中离子注入工艺示意图；

图7是传统减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶不均匀处示意图；

图8是本发明减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶不均匀处示意；

图9是传统减薄后IGBT背面工艺后有效晶圆面积示意图；