[发明专利]一种半导体薄片背面加工工艺在审
| 申请号： | 201811452396.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599330A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孟繁新;沈建华;石文坤;牟哲仪;王智 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体薄片 光刻胶 减薄 背面 晶圆背面 晶圆 电力电子技术领域 表面覆盖 不均匀性 降低器件 传统的 良率 贴紧 涂胶 圆面 生产成本 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体薄片背面加工工艺，其方法为，在减薄晶圆背面光刻涂胶时，先在一层膜的表面均匀喷涂光刻胶，再将覆盖有光刻胶的膜贴紧在减薄晶圆背面表面，形成减薄晶圆、光刻胶、膜三层结构。
2.如权利要求1所述的半导体薄片背面加工工艺，其特征在于：所述光刻胶表面的膜的材料为树脂或其他任意聚合物材料。
3.如权利要求1所述的半导体薄片背面加工工艺，其特征在于：所述膜的厚度在为10-9000μm。
4.如权利要求1所述的半导体薄片背面加工工艺，其特征在于：所述将膜、光刻胶、减薄晶圆表面贴紧的方法为，利用大气压将膜与光刻胶贴紧或者用下压板将其压紧。
5.如权利要求1所述的半导体薄片背面加工工艺，其特征在于：所述减薄晶圆的材料为半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂），未经中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811452396.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
