[发明专利]有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811443609.0 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109545832B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 闫光;吴长晏;孙力;尤娟娟;罗程远;王玲;杨栋芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置。有机发光二极管显示基板包括发光单元层、带隙单元层和色转化单元层,所述发光单元层用于出射第一颜色光线,所述带隙单元层和色转化单元层设置在所述发光单元层的出光路径上,所述色转化单元层用于将所述第一颜色光线分别转化为第二颜色光线和第三颜色光线,所述带隙单元层用于增加所述第二颜色光线和第三颜色光线的出光量。本发明通过设置增加第二颜色光线和第三颜色光线出光量的带隙层,有效提高了第二颜色光线和第三颜色光线的出光效率和出光量,有效提高了产品的色纯度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。目前,对于小尺寸OLED产品,通常采用蒸镀工艺形成有机电致发光层,利用光学谐振器的调制作用来实现低功耗及高色域,但由于制备材料昂贵,且制备过程需要采用精细金属掩模板(Fine Metal Mask,FMM),该制备方式无法实现大尺寸OLED产品的稳定量产。
量产的大尺寸OLED产品主要采用白光OLED加彩色滤光片的方式,但该方式存在功耗大和色域不足的问题。为了解决功耗和色域的问题,相关技术提出了蓝光OLED加绿色和红色量子点色转化层的方式。经本申请发明人研究发现,该方式不仅存在绿光和红光出光量不足的问题,而且还存在绿光和红光中蓝光含量较多的问题,导致产品色纯度不足。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置,以解决现有方案存在的色纯度不足的问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示基板,包括发光单元层、带隙单元层和色转化单元层,所述发光单元层用于出射第一颜色光线,所述带隙单元层和色转化单元层设置在所述发光单元层的出光路径上,所述色转化单元层用于将所述第一颜色光线分别转化为第二颜色光线和第三颜色光线,所述带隙单元层用于增加所述第二颜色光线和第三颜色光线的出光量。
可选地,所述发光单元层包括在驱动基板上周期性排布且出射第一颜色光线的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元,所述色转化单元层包括设置在所述第二发光单元出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第二颜色光线的第二色转化单元和设置在所述第三发光单元的出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第三颜色光线的第三色转化单元;所述带隙单元层包括设置在所述发光单元层和色转化单元层之间的第一带隙层,所述第一带隙层用于透过所述第一颜色光线并反射所述第二颜色光线和第三颜色光线。
可选地,还包括设置在所述第二色转化单元和第三色转化单元出光路径上的彩色滤光层,所述彩色滤光层用于透过所述第二颜色光线和第三颜色光线并吸收所述第一颜色光线。
可选地,所述彩色滤光层包括第二滤光单元和第三滤光单元,所述第二滤光单元与所述第二色转化单元位置相对应,用于透过所述第二颜色光线并吸收所述第一颜色光线,所述第三滤光单元与所述第三色转化单元位置相对应,用于透过所述第三颜色光线并吸收所述第一颜色光线。
可选地,还包括设置在所述第二色转化单元和第三色转化单元出光路径上的第二带隙层,所述第二带隙层用于透过所述第二颜色光线和第三颜色光线并反射所述第一颜色光线。
可选地,所述发光单元层包括在驱动基板上周期性排布且出射第一颜色光线的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元,所述色转化单元层包括设置在所述第二发光单元出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第二颜色光线的第二色转化单元和设置在所述第三发光单元的出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第三颜色光线的第三色转化单元;所述带隙单元层包括设置在所述第二色转化单元和第三色转化单元出光路径上的第二带隙层,所述第二带隙层用于透过所述第二颜色光线和第三颜色光线并反射所述第一颜色光线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的