[发明专利]有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811443609.0 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109545832B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 闫光;吴长晏;孙力;尤娟娟;罗程远;王玲;杨栋芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示基板,其特征在于,包括发光单元层、带隙单元层和色转化单元层,所述发光单元层包括在驱动基板上周期性排布且出射第一颜色光线的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元,每个发光单元包括第一电极、有机电致发光层和第二电极,所述带隙单元层和色转化单元层设置在所述发光单元层的出光路径上,所述色转化单元层用于将所述第一颜色光线分别转化为第二颜色光线和第三颜色光线,所述带隙单元层设置在所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的对应位置,所述带隙单元层用于增加所述第二颜色光线和第三颜色光线的出光量;所述带隙单元层包括设置在所述发光单元层和色转化单元层之间的第一带隙层,所述第一带隙层用于透过所述第一颜色光线并反射所述第二颜色光线和第三颜色光线;所述第一带隙层为堆叠结构层,所述堆叠结构层的厚度为0.5μm~10.0μm,所述堆叠结构层包括3~5个依次叠设的介质层,相邻介质层的折射率不同;
所述堆叠结构层包括依次叠设的第一无机层、第一有机层和第二无机层,所述第一无机层设置在发光单元层上,并与所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元接触,同时作为所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的保护层,阻隔环境中水氧;
所述有机发光二极管显示基板还包括第一带隙单元,所述第一带隙单元的位置与所述第一发光单元的位置对应,用于透过第一颜色光线并提升第一颜色光线的色纯度。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,所述色转化单元层包括设置在所述第二发光单元出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第二颜色光线的第二色转化单元和设置在所述第三发光单元的出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第三颜色光线的第三色转化单元。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,还包括设置在所述第二色转化单元和第三色转化单元出光路径上的彩色滤光层,所述彩色滤光层用于透过所述第二颜色光线和第三颜色光线并吸收所述第一颜色光线。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,所述彩色滤光层包括第二滤光单元和第三滤光单元,所述第二滤光单元与所述第二色转化单元位置相对应,用于透过所述第二颜色光线并吸收所述第一颜色光线,所述第三滤光单元与所述第三色转化单元位置相对应,用于透过所述第三颜色光线并吸收所述第一颜色光线。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,还包括设置在所述第二色转化单元和第三色转化单元出光路径上的第二带隙层,所述第二带隙层用于透过所述第二颜色光线和第三颜色光线并反射所述第一颜色光线。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,所述色转化单元层包括设置在所述第二发光单元出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第二颜色光线的第二色转化单元和设置在所述第三发光单元的出光路径上且将所述第一颜色光线转化为第三颜色光线的第三色转化单元;所述带隙单元层包括设置在所述第二色转化单元和第三色转化单元出光路径上的第二带隙层,所述第二带隙层用于透过所述第二颜色光线和第三颜色光线并反射所述第一颜色光线。
7.根据权利要求5或6所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,所述第二带隙层设置在覆盖所述第二色转化单元和第三色转化单元的平坦层上,包括第二带隙单元和第三带隙单元,所述第二带隙单元与所述第二色转化单元位置相对应,用于透过所述第二颜色光线并反射所述第一颜色光线,所述第三带隙单元与所述第三色转化单元位置相对应,用于透过所述第三颜色光线并反射所述第一颜色光线;所述第二带隙单元具有第二颜色光线高透过率、第一颜色光线高反射率的特性,所述第三带隙单元具有第三颜色光线高透过率、第一颜色光线高反射率的特性,所述高透过率为透过率≥80%,所述高反射率为反射率≥85%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的