[发明专利]半导体装置封装及相关方法

说明书

本申请案涉及半导体装置封装及相关方法。半导体装置封装可包含其中具有电连接的支撑结构。半导体装置模块可位于所述支撑结构的表面上。模制材料可至少部分地环绕所述支撑结构的所述表面上的每一半导体模块。热管理装置可在所述半导体装置模块的与所述支撑结构相对的一侧上操作性地连接到所述半导体装置模块。所述半导体装置模块中的至少一些可包含半导体裸片的堆叠，所述堆叠中的至少两个半导体裸片通过导电元件的导电材料的彼此扩散而彼此固定。

优选权主张

本申请案主张2017年12月1日申请的针对“半导体装置封装及相关方法(SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES AND RELATED METHODS)”的序列号为15/828,819的美国专利申请案的申请日的权益。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置封装及制作半导体装置封装的方法。更具体来说，所揭示的实施例涉及制作半导体装置封装的方法，其可降低封装高度并增加用于电连接的带宽，并且涉及此类半导体装置封装。

背景技术

电子工业中的一般趋势是减小组件的大小，同时增加所述组件的带宽。举例来说，晶片上芯片技术通常可消除个别半导体裸片的结合垫与半导体晶片之间的相对高或厚的导电元件(焊料凸块)，以有利于通过热压结合来促进较小的导电元件，例如铜柱及端子垫。额外技术试图减少专用于生产最终不起作用的封装的资源的花费。举例来说，扇出封装技术可结合使用合格的半导体裸片提供更多数量的针对信号及电力的引脚分配，仅使用被确认为在衬底上起作用的那些半导体裸片(通常称为“已知良好的裸片”)，并在已知良好的裸片周围形成重组晶片。然而，此类常规技术较昂贵并且需要额外设备及处理动作。

发明内容

通过执行根据本发明的方法产生的半导体装置结构可包含具有横向间隔封装位置的再分布层，每一封装位置包含导电迹线及在再分布层的相对侧上的电连接。半导体装置模块组可电连接到再分布层的表面上的对应封装位置。模制材料可至少部分地环绕再分布层上的每一半导体模块。每一组的半导体装置模块中的至少部分可包含通过其面向表面上的邻近导电元件之间的热压结合相互电连接的半导体裸片的堆叠。

根据本发明的半导体装置封装可包含其中具有电连接的支撑结构。半导体装置模块可位于支撑结构的表面上。模制材料可至少部分地环绕支撑结构的表面上的每一半导体模块，并且可连接到其电连接。半导体装置模块中的至少部分可包含在经单个化半导体晶片区段上的半导体裸片的堆叠，半导体裸片及经单个化半导体晶片区段通过热压结合及通孔电连接。模制材料可至少部分地环绕并接触支撑结构的表面上的每一半导体模块的每一半导体裸片及经单个化晶片区段的侧。

制作半导体装置封装的方法可涉及在半导体晶片的作用表面上的集成电路的横向间隔区上堆叠半导体裸片。位于半导体晶片附近的每一堆叠中的第一半导体裸片可通过热压结合连接到半导体晶片的集成电路的区。半导体裸片的每一堆叠可包含在其与第一半导体晶片相对的一侧上暴露的导电元件。可经由导电元件测试半导体裸片的每一堆叠。包括半导体裸片的堆叠及半导体晶片的集成电路的区的半导体装置模块可经单个化。在通过与半导体裸片的堆叠相对的集成电路的区的导电元件的测试期间被确认为起作用的半导体装置模块组可电连接到支撑结构的表面上的对应封装位置的电连接。每一半导体模块可在支撑结构的表面上被至少部分地环绕在模制材料中。可单个化半导体装置封装，每一半导体装置封装包括一组半导体装置模块及支撑结构的对应位置。

附图说明

虽然本发明以特别指出并清楚地主张特定实施例的权利要求书作出结论，但当结合附图阅读时，可从以下描述中更容易地确定本发明范围内的实施例的各种特征及优点，其中：图1是制作半导体装置封装的方法的第一阶段中的半导体晶片的一部分的示意性横截面侧视图；

图2是在制作半导体装置封装的方法的第二阶段中的包含导电元件的图1的半导体晶片的部分的示意性横截面侧视图；