[发明专利]半导体装置封装及相关方法

权利要求书

1.一种制作半导体装置封装的方法，其包括：

在半导体晶片的作用表面上的集成电路的横向间隔区上堆叠半导体裸片，位于所述半导体晶片附近的每一堆叠中的第一半导体裸片通过热压结合连接到所述半导体晶片的集成电路的区，所述半导体裸片的每一堆叠包含在其与所述半导体晶片相对的一侧上暴露的导电元件；

经由所述导电元件测试所述半导体裸片的每一堆叠；

单个化半导体装置模块，所述半导体装置模块包括所述半导体裸片的堆叠及所述半导体晶片的集成电路的区；

将在通过与半导体裸片堆叠相对的集成电路的所述区的导电元件的测试期间确认为起作用的所述半导体装置模块组连接到支撑结构的表面上的对应封装位置的电连接；

将所述支撑结构的所述表面上的每一半导体模块至少部分地环绕在模制材料中；以及

单个化半导体装置封装，每一半导体装置封装包括一组所述半导体装置模块及所述支撑结构的对应位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在至少一组半导体装置模块的与所述支撑结构相对的一侧上将热管理装置放置在所述至少一组半导体装置模块上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述热管理装置放置在所述至少一组半导体装置模块上是在所述半导体装置封装的单个化之前实现。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在单个化所述半导体装置封装之后，在所述支撑结构的与所述组半导体装置模块相对的一侧上形成操作性地连接到所述支撑结构的所述电连接的导电元件。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中将所述半导体装置模块组电连接到所述支撑结构的所述表面上的所述对应封装位置的电连接包括将所述半导体装置模块组电连接到再分布层的表面上的所述对应封装位置；以及

进一步包括在所述电连接所述半导体装置模块组之前形成所述再分布层。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在载体上形成所述再分布层；以及

将所述半导体装置模块组电连接到支撑在所述载体上的所述再分布层。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将在测试期间确认为起作用的所述半导体装置模块组电连接到所述半导体装置模块的与所述支撑结构相对的所述侧的暴露表面上的另一支撑结构的表面上的对应封装位置的电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括在所述半导体装置封装的单个化之前实现所述将在测试期间确认为起作用的所述半导体装置模块组电连接到所述半导体装置模块的与所述支撑结构相对的所述侧的所述暴露表面上的另一支撑结构的表面上的所述对应封装位置的所述电连接。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述半导体裸片的所述堆叠之前通过以下步骤形成所述半导体裸片：

在另一半导体晶片中制造通孔，所述另一半导体晶片包括作用表面及非作用表面，所述作用表面承载集成电路，所述非作用表面位于所述另一半导体晶片的与所述作用表面相对的一侧上；

将连接到所述通孔的第一组导电元件放置在所述作用表面上；

将连接到所述通孔的第二组导电元件放置在所述非作用表面上；以及

将所述半导体裸片彼此单个化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述另一半导体晶片中制造所述通孔包括形成从所述作用表面朝向所述非作用表面延伸的盲孔，以及用导电材料至少部分地填充所述盲孔。

11.根据权利要求10所述的方法，

其进一步包括减薄所述另一半导体晶片以从非作用表面去除所述另一半导体晶片的半导体材料以暴露位于所述盲孔内的所述导电材料。