[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201811433002.4 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021529A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王怡琇;陈彦兆;夏英庭;江照平;郑钧智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导电层 半导体装置 掺杂剂 衬底 去除 半导体 制作 第一侧壁 图案化 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体装置的方法，其包括：
接收半导体衬底；
在所述半导体衬底上方形成第一半导电层；
在所述第一半导电层的第一部分中形成多种掺杂剂；及
去除所述第一半导电层的第二部分以形成图案化第一半导电层，其中通过调整所述第一部分中的所述多种掺杂剂的分布来控制去除所述第一半导电层的所述第二部分之后的所述第一部分的第一侧壁轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
