[发明专利]光掩膜版及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201811426610.2 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN111221214A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 陈新晋 申请(专利权)人: 芯恩(青岛)集成电路有限公司
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 266000 山东省青岛市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 光掩膜版 及其 制作方法
【说明书】:

发明提供一种光掩膜版及其制作方法,其中,所述光掩膜版至少包括:版本体,保护膜;其中,所述保护膜可拆卸安装于所述版本体上,以保护所述版本体表面。本发明的光掩膜版及其制作方法,具有以下有益效果:本发明的光掩膜版,保护膜可拆卸安装于版本体上,并且保护膜和版本体之间可根据需要设计制作多种机械连接结构,安装便捷,保护膜破损时更便于拆卸维修;相较于现有技术,不采用胶合方式,而是采用机械连接结构,因而不会出现底胶漏气的问题,也就避免了由于底胶漏气所引起的光掩膜版发雾的问题,同时在保护膜破损需要拆卸维修时,不会因移除残留底胶而造成光掩膜版和清洗机器被污染。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种光掩膜版及其制作方法。

背景技术

光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上,而这些临时电路结构首先以图形形式制作在光掩膜版上,然后紫外光透过光掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。光掩膜版必须细心地清洗,以便多次重复曝光形成完美图像。使用光掩膜版时,存在很多可能的损伤来源,例如掉铬、表面擦伤、静电放电(ESD)和灰尘颗粒(Particle)等。在一块光掩膜版的电路图上,即使只有一个灰尘颗粒,它也会在硅片上的每个位置重复,而如果灰尘颗粒落在光掩膜版上的关键区域,就会损害电路并造成成像缺陷。

解决光掩膜版上灰尘颗粒沾污的一个方法是采用保护膜(Pellicle)保护光掩膜版的版本体表面。如图1所示,保护膜2主要由一个极薄的透光薄膜21、一个密封的金属框架22以及底胶23构成,透光薄膜21被紧绷在金属框架22上,在制作光掩模板的最后一道工序时将金属框架22通过底胶23粘附在光掩模板的版本体1上,从而完成保护膜的安装,且透光薄膜21大约在光掩膜版的版本体表面上方5~10mm。如图2所示,如果一个灰尘颗粒3落到光掩膜版的版本体1表面的保护膜2上,来自该灰尘颗粒3的光通过透镜4后的聚焦点A’距离焦平面5很远,并且对于投影光学系统是不可见的。因此,保护膜可以有效保护光掩模板上的集成电路,避免灰尘颗粒到达光掩膜版表面而导致电路受到灰尘颗粒污染,进而导致其后黄光制程时线路断路或短路。

然而,在现有光掩膜版中,保护膜通过胶合方式安装在版本体上,通常会出现如下缺陷:(1)底胶会出现漏气(out-gas)问题,而漏气问题是造成光掩膜版上发雾(haze)问题的原因之一。(2)在保护膜破损需要维修时,移除保护膜会使得底胶残留在光掩膜版的版本体上,除胶洗净时易造成光掩膜版和清洗机器的污染。

因此,如何解决光掩膜版的保护膜通过胶合方式安装在版本体上时所造成的底胶漏气和光掩膜版发雾的缺陷,以及如何解决移除残留底胶时所造成的光掩膜版和清洗机器被污染的缺陷,是亟待解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种光掩膜版及其制作方法,用于解决现有技术中光掩膜版的保护膜通过胶合方式安装在版本体上时所造成的底胶漏气和光掩膜版发雾的问题,以及移除残留底胶时所造成的光掩膜版和清洗机器被污染的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种光掩膜版,其中,所述光掩膜版至少包括:版本体,保护膜;其中,所述保护膜可拆卸安装于所述版本体上,以保护所述版本体表面。

优选地,所述保护膜与所述版本体之间相互卡合。

优选地,所述保护膜至少包括:第一薄膜,第二薄膜,第一边框,以及第二边框;其中,所述第一薄膜和所述第二薄膜相对设置,所述第一边框和所述第二边框相对设置,所述第一边框的两端分别连接所述第一薄膜和所述第二薄膜的侧边,所述第二边框的两端分别连接所述第一薄膜和所述第二薄膜的另一侧边,所述第一边框和所述第二边框均具有凸形夹口;其中,所述保护膜通过所述第一薄膜、所述第二薄膜、所述第一边框和所述第二边框的组合形成中空通道,所述版本体从所述保护膜的中空通道插入,且所述版本体的两侧分别与所述第一边框和所述第二边框的凸形夹口通过过盈配合来相互卡合。

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