[发明专利]一种声表面波器件用压电晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种声表面波器件用压电晶片，包括表层、还原层和晶片基底层，其特征是：

所述表层是铌酸锂、钽酸锂单晶加工制作的同质晶片；

所述表层经过富锂及还原处理；

所述表层中锂含量大于0.486，但小于0.5；

所述压电晶片富锂表层有效深度为几微米至几十微米。

2.根据权利要求1所述的压电晶片，其特征是：

铌酸锂晶片体电导率为：（1.0 * 10 ^-12 ~ 1.0 * 10^ -8 ）S/cm；

钽酸锂晶片体电导率为：（1.0 * 10^ -13 ~ 1.0 * 10 ^-10 ）S/cm。

3.根据权利要求1所述的压电晶片，其特征是：其表面处理的顺序是先进行还原处理，后进行富锂化处理或先进行富锂化处理，后进行还原处理。

4.一种权利要求1所述的压电晶片制备方法，其特征在于，表层采用气相平衡运输技术对其实现富锂化。

5.根据权利要求4所述的压电晶片制备方法，其特征是：包括将纯度为4N级的碳酸锂、五氧化二铌或五氧化二钽粉末按一定比例进行充分混合、煅烧反应并研磨成组分均匀的粉末，并将该粉末装入铂金坩埚中；以100重量份的碳酸锂为基准，五氧化二铌的含量可为300~370重量份或500~610重量份。

6.根据权利要求4所述的压电晶片制备方法，其特征是：以100重量份的碳酸锂为基准，五氧化二铌的含量可为330~350重量份，五氧化二钽的含量为540~580重量份。

7.根据权利要求4所述的压电晶片制备方法，其特征是：将待富锂化还原片的正面朝向混合粉末并平行于混合粉末表面放置，并使还原片稍高于混合粉末表面，即在还原片与混合粉末表面之间留有一个0.5~3mm的微小缝隙。

8.根据权利要求4所述的压电晶片制备方法，其特征是：还包括将纯度为4N级的碳酸锂粉末直接覆盖在铌酸锂、钽酸锂还原片的背面。

9.根据权利要求4所述的压电晶片制备方法，其特征是：还包括提供足够高的温度和维持足够长的时间，对于铌酸锂还原片，加热温度为900~1140℃，维持时间为20~100h。

10.根据权利要求4所述的压电晶片制备方法，其特征是：还包括提供足够高的温度和维持足够长的时间，对于钽酸锂还原片，加热温度为475~600℃，维持时间为50~250h；优选地，加热温度为550℃，维持时间为120h。