[发明专利]用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法

说明书

本发明实施例针对锚定结构和用于形成锚定结构的方法，从而使得平坦化和晶圆接合可以是均匀的。锚定结构可以包括形成在介电层表面上的锚定层和形成在锚定层中和介电层表面上的锚定焊盘。锚定层材料可以选择为使得锚定层、锚定焊盘和互连材料的平坦化选择性可以彼此基本相同。锚定焊盘可以提供具有相同或类似材料的均匀密度的结构。本发明实施例涉及用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法。

技术领域

本发明实施例涉及用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法。

背景技术

半导体图像传感器件用于感测辐射，诸如光。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电耦合器件(CCD)传感器用于各种应用，例如数码相机或手机摄像头应用。这些器件利用衬底中的像素阵列(其可以包括光电二极管和晶体管)，以吸收(例如，感测)投射到衬底上的辐射并且将感测的辐射转换成电信号。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种图像传感器件，包括：第一管芯，包括：第一衬底；第一介电层，位于所述第一衬底正上方；第一锚定层，位于所述第一介电层正上方；第一互连结构，形成在所述第一介电层和所述第一锚定层中；以及第一锚定焊盘，形成在所述第一锚定层中并且位于所述第一介电层正上方；以及第二管芯，接合至所述第一管芯，其中，所述第二管芯包括：第二衬底；第二介电层，位于所述第二衬底正上方；第二锚定层，位于所述第二介电层正上方；第二互连结构，与所述第一互连结构接触，其中，所述第二互连结构形成在所述第二介电层和所述第二锚定层中；以及第二锚定焊盘，形成在所述第二锚定层中并且位于所述第二介电层正上方，其中，所述第一互连结构和所述第二互连结构、所述第一锚定层和所述第二锚定层以及所述第一锚定焊盘和所述第二锚定焊盘分别接合至彼此。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种用于形成图像传感器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底正上方沉积蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层正上方沉积介电层；在所述介电层正上方沉积锚定层；在所述衬底上形成穿过所述介电层和所述锚定层的再分布结构；以及在所述锚定层中和所述介电层正上方形成多个锚定焊盘。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种图像传感器系统，包括：再分布区域，包括在界面处接合的第一再分布结构和第二再分布结构；像素区域，包括在所述界面处接合的多个第一锚定焊盘和多个第二锚定焊盘，其中，所述像素区域包括多个像素；以及第一锚定层和第二锚定层，在所述界面处接合并且延伸穿过所述再分布区域和所述像素区域，其中，第一锚定焊盘和第二锚定焊盘分别形成在所述第一锚定层和所述第二锚定层中。

附图说明

当接合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的说明和讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的背照式图像传感器件的截面图。

图2是根据一些实施例的图像传感器件的截面图。

图3是根据一些实施例的图像传感器件的截面图。

图4A至图4B是根据一些实施例的图像传感器件的相应的等轴和顶视图。

图5是根据一些实施例的图像传感器件的等轴视图。

图6是根据一些实施例的图像传感器件的等轴视图。

图7是根据一些实施例的形成图像传感器件的示例性方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。