[发明专利]用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法有效
申请号: | 201811384924.0 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN110010628B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 魏嘉余;李承远;陈信吉;李国政;黄熏莹;林彦良 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 均匀 平坦 接合 锚定 结构 方法 | ||
1.一种图像传感器件,包括:
第一管芯,包括:
第一衬底;
第一介电层,位于所述第一衬底正上方;
第一锚定层,位于所述第一介电层正上方;
第一互连结构,形成在所述第一介电层和所述第一锚定层中;以及
第一锚定焊盘,形成在所述第一锚定层中并且位于所述第一介电层正上方;以及
第二管芯,接合至所述第一管芯,其中,所述第二管芯包括:
第二衬底;
第二介电层,位于所述第二衬底正上方;
第二锚定层,位于所述第二介电层正上方;
第二互连结构,与所述第一互连结构接触,其中,所述第二互连结构形成在所述第二介电层和所述第二锚定层中;以及
第二锚定焊盘,形成在所述第二锚定层中并且位于所述第二介电层正上方,其中,所述第一互连结构和所述第二互连结构、所述第一锚定层和所述第二锚定层以及所述第一锚定焊盘和所述第二锚定焊盘分别接合至彼此,
所述第一锚定层、所述第一互连结构和所述第一锚定焊盘具有相同的平坦化选择性,所述第二锚定层、所述第二互连结构和所述第二锚定焊盘具有相同的平坦化选择性,并且各自的所述接合的面平坦地连续在一起。
2.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一锚定层和所述第二锚定层的厚度在和之间。
3.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一锚定焊盘和所述第二锚定焊盘的厚度在和之间。
4.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一锚定焊盘和所述第二锚定焊盘包括导电材料。
5.根据权利要求4所述的图像传感器件,其中,所述导电材料包括透明的氧化锡或氧化锌。
6.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一锚定焊盘的宽度在0.01μm和200μm之间。
7.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一互连结构和所述第二互连结构、所述第一锚定层和所述第二锚定层以及所述第一锚定焊盘和所述第二锚定焊盘具有相同的平坦化选择性。
8.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一锚定层和所述第二锚定层的每个均包括硅、氧、氟化物、碳和氮化物。
9.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一锚定层和所述第二锚定层的每个均包括聚合物、树脂、低k电介质、高k电介质或绝缘材料。
10.根据权利要求1所述的图像传感器件,其中,所述第一锚定焊盘和所述第一互连结构之间的距离在约0.1μm和200μm之间。
11.一种用于形成图像传感器件的方法,所述方法包括:
提供衬底;
在所述衬底正上方沉积蚀刻停止层;
在所述蚀刻停止层正上方沉积介电层;
在所述介电层正上方沉积锚定层;
在所述衬底上形成穿过所述介电层和所述锚定层的再分布结构;以及
在所述锚定层中和所述介电层正上方形成多个锚定焊盘,
其中,所述锚定层、所述再分布结构和所述多个锚定焊盘具有相同的平坦化选择性并且各自的相比于所述介电层暴露的上表面平坦地连续在一起。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,沉积所述锚定层包括将锚定层材料沉积至和之间的厚度。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述锚定层材料包括硅、氧、氟化物、碳和氮化物。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,所述锚定层材料包括聚合物、树脂、低k电介质、高k电介质或绝缘材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的