[发明专利]一种晶粒缺陷监控方法

权利要求书

1.一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，其特征在于，

提供一虚拟标准晶圆，及所述虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及所述虚拟坐标与所述虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；

包含以下步骤：

步骤S1，提供一晶圆，对所述晶圆执行一缺陷检测操作获得所述晶圆中缺陷位置；

步骤S2，所述晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至所述虚拟坐标；

步骤S3，根据所述虚拟坐标获得并记录所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置；

步骤S4，重复步骤S1至S3；

步骤S5，根据记录的所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置，得到每个所述晶粒的缺陷变化趋势。

2.如权利要求1所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，提供一时间轴，所述步骤S3中同时记录所述缺陷检测对应的加工工序对所述晶圆的加工时间，所述步骤S5中，根据所述时间轴统计每个所述晶粒发生缺陷的概率。

3.如权利要求2所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，提供一临界值，当所述步骤S5中统计的当前的所述晶粒发生缺陷的概率超过所述临界值时进行报警。

4.如权利要求1所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：

步骤S21，通过拍摄获得所述晶圆的表面图像，确定所述缺陷位置；

步骤S22，将所述缺陷位置代入所述虚拟坐标，以获得所述缺陷位置于所述虚拟坐标上的位置。

5.如权利要求3所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，所述步骤S3中，根据所述虚拟坐标及所述对应关系，获得并记录所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置。

6.如权利要求3所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，具体包括：

步骤A1，在所述时间轴上，统计当前的所述晶粒发生缺陷的概率；

步骤A2，判断所述晶粒发生缺陷的概率是否超出所述临界值：

若是，则判定所述晶粒为缺陷异常，并转向步骤A3；

若否，则判定所述晶粒为非缺陷异常，并退出；

步骤A3，发出所述晶粒为缺陷异常的报警，反馈所述晶粒在所述虚拟标准晶圆上的位置，并退出。

7.如权利要求1所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，建立所述虚拟坐标与所述虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系的方法包括以下步骤：

步骤S101，于所述虚拟标准晶圆上定义所述晶粒的布局；

步骤S102，根据所述晶粒的尺寸及所述布局，于所述虚拟坐标上获得每个所述晶粒的起始位置及每个所述晶粒的覆盖范围，从而获得所述虚拟坐标与所述虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系。

8.如权利要求6所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，所述虚拟标准晶圆的尺寸与当前的待检测晶圆的尺寸相同。

9.如权利要求6所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，根据不同的所述待检测晶圆上晶粒的布局及尺寸调整所述对应关系。

10.如权利要求8所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，将每种对应关系保存为相应的模板，于所述步骤S1开始前调用当前晶圆对应的所述模板。