[发明专利]S/N比改进的光电检测器件及其制造方法

说明书

S/N比改进的光电检测器件及其制造方法。一种光电检测器件包括：基板；光电半导体元件，其设置在基板上；第一树脂层，其包括第一透明树脂，设置在光电半导体元件上；以及第二树脂层，其包括第二透明树脂，设置在基板上。第二树脂层被分成设置在基板上并围绕光电半导体元件的侧壁的包含遮光填料的含填料树脂下部以及设置在含填料树脂下部上并围绕第一树脂层的侧壁的至少一部分的不包含遮光填料的不含填料树脂上部。

技术领域

当前所公开的主题涉及一种作为光电传感器和照度传感器操作的光电检测器件及其制造方法。

背景技术

图6A是示出第一现有技术光电检测器件的横截面图，图6B是图6A的光电检测器件的平面图。需要注意的是，图6A是沿图6B的线A-A截取的横截面图。参见JP2007-036109A的图1B和图2。

在图6A和图6B中，光电检测器件100-1由安装有光电半导体元件102(例如，光电二极管和光电晶体管)的印刷布线基板101构成。另外，用作凸透镜的凸形有机硅树脂层103形成在光电半导体元件102上。此外，使用转印模塑工艺(transfer molding process)来形成遮光树脂层104-1以围绕光电半导体元件102和凸形有机硅树脂层103的侧壁。因此，由遮光树脂层104-1将光电半导体元件102和凸形有机硅树脂层103密封。

在图6A和图6B中，由于光电半导体元件102的侧壁被遮光树脂层104-1完全覆盖，所以可减小从光电半导体元件102的侧壁入射到其中的干扰光的影响。在这种情况下，遮光树脂层104-1的开口OP10越小，转印模塑工艺中所使用的金属模具的制造成本越低。

然而，图6A和图6B的光电检测器件100-1中，遮光树脂层104-1必须使用转印模塑工艺来形成，以避开凸形有机硅树脂层103。为此，转印模塑工艺中提供的具有与凸形有机硅树脂层103的突出部分对应的开口的金属模具与凸形有机硅树脂层103的突出部分准确地对准，这将需要大规模生产工艺中的高精度对准技术。这将增加制造成本。

另外，在图6A和图6B的光电检测器件100-1中，光取入(taken-in)面积S10与凸形有机硅树脂层103的开口OP10相同，即，

S10＝OP10

由于凸形有机硅树脂层103的开口OP10相对小，所以光取入面积S10也小。结果，图6A和图6B的光电检测器件100-1的光取入效率将较小，从而信噪(S/N)比减小。

图7A是示出第二现有技术光电检测器件的横截面图，并且图7B是图7A的光电检测器件的平面图。需要注意的是，图7A是沿图7B的线A-A截取的横截面图。参见JP2007-036109A的图5和图6。

在图7A和图7B中，光电检测器件100-2具有遮光树脂层104-2，代替图6A和图6B的光电检测器件100-1的遮光树脂层104-1。在这种情况下，遮光树脂层104-2的高度小于图6A和图6B的遮光树脂层104-1的高度，以使得遮光树脂层104-2的开口OP20大于图6A和图6B的遮光树脂层104-1的开口OP10。即使在这种情况下，光取入面积S20也与凸形有机硅树脂层103的开口OP20相同，即，

S20＝OP20>OP10

因此，与图6A和图6B的光电检测器件100-1相比，图7A和图7B的光电检测器件100-2的光取入效率将增加，因此改进了S/N比。