[发明专利]数组衬底的制造方法在审
| 申请号： | 201811312197.7 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111211136A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陆富财;王豪;余彦霖;邱奕勋 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 数组 衬底 制造 方法 | ||
1.一种数组衬底的制造方法，其特征在于，包括：
形成主动组件于衬底上；
形成第一绝缘层于所述主动组件上；
形成共通电极层于所述第一绝缘层上；
形成第二绝缘层于所述共通电极层上；
在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中形成第一接触窗，以暴露出部分的所述主动组件；
形成导电层于所述第二绝缘层上，其中所述导电层填入于所述第一接触窗中；
形成第三绝缘层于所述导电层上；
在第三绝缘层中形成第二接触窗，以暴露出部分的所述导电层；以及
形成像素电极层于所述第三绝缘层上，其中所述像素电极层填入于所述第二接触窗中。
2.根据权利要求1所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，形成所述主动组件的步骤包括：
形成栅极层于所述衬底上；
形成栅极绝缘层于所述栅极层上；以及
形成源极层以及漏极层于所述栅极绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，在形成所述源极层以及所述漏极层于所述栅极绝缘层上的步骤前，还包括形成半导体层于所述栅极绝缘层上，且所述半导体层与所述栅极层相对设置。
4.根据权利要求2所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，所述第一接触窗暴露出部分的所述漏极层。
5.根据权利要求1所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中形成所述第一接触窗时，同时于所述第一绝缘层中形成第三接触窗，所述第三接触窗暴露出部分的所述共通电极层。
6.根据权利要求5所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，所述导电层更填入于所述第三接触窗中。
7.根据权利要求1所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，所述导电层的材料为氧化铟锡、铝、钼或其组合。
8.根据权利要求1所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，所述第一接触窗与所述第二接触窗至少部分地连接。
9.根据权利要求1所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，所述主动组件通过所述导电层与所述像素电极层电性连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
