[发明专利]一种公共层掩膜板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811271057.X 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN109402557B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 张浩瀚;白珊珊 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/00;H01L51/56
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 公共 层掩膜板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种公共层掩膜板,其特征在于,包括掩膜板本体,所述掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离所述基板的第二表面,所述掩膜板本体上形成有至少一个开口,所述掩膜板本体在所述开口的周边区域处形成有翘曲部,且所述翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲;

所述翘曲部包括刻蚀形成的半刻蚀部,所述半刻蚀部背离所述基板的方向的表面与所述第二表面共面;

所述半刻蚀部朝向所述基板方向的表面上设有多聚物材料层,所述多聚物材料层背离所述半刻蚀部的表面与所述第一表面共面。

2.根据权利要求1所述的公共层掩膜板,其特征在于,所述半刻蚀部朝向所述多聚物材料层的表面上形成有多个凸起。

3.根据权利要求2所述的公共层掩膜板,其特征在于,所述凸起为圆柱体、圆台或梯形结构。

4.根据权利要求1所述的公共层掩膜板,其特征在于,所述半刻蚀部朝向所述多聚物材料层的表面上形成有多个凹陷。

5.根据权利要求4所述的公共层掩膜板,其特征在于,所述凹陷为圆柱体、圆台或梯形结构。

6.根据权利要求1所述的公共层掩膜板,其特征在于,所述掩膜板本体由因瓦合金制成。

7.一种公共层掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:

将掩膜板本体进行图案化处理形成至少一个开口;

将所述掩膜板本体开口的周边区域弯曲,形成翘曲部,所述掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离所述基板的第二表面,所述翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲;

所述将掩膜板本体开口的周边区域弯曲,形成翘曲部,掩膜板本体包括使用时朝向基板的第一表面以及背离基板的第二表面,翘曲部沿指向所述开口的方向向由所述第二表面指向所述第一表面的方向翘曲,包括:

将所述掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理,形成半刻蚀部;

所述将掩膜板本体的开口周边区域进行半刻蚀处理,形成半刻蚀部之后,还包括:

将液体状态的多聚物材料设置在所述半刻蚀部朝向所述第一表面的表面上;

对所述多聚物材料固化处理,形成多聚物材料层。

8.根据权利要求7所述的公共层掩膜板的制备方法,其特征在于,所述将液体状态的多聚物材料设置在所述半刻蚀部朝向所述第一表面的表面上,包括:

通过涂覆或喷墨打印方式将液体状态的多聚物材料设置在半刻蚀部的表面上。

9.根据权利要求7所述的公共层掩膜板的制备方法,其特征在于,所述对多聚物材料固化处理,形成多聚物材料层,包括:

通过加热固化或紫外线光照的方式对多聚物材料进行固化处理。

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