[发明专利]半导体制造方法与半导体层

说明书

一种半导体制造方法与半导体层。半导体层包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由半熔融态的第一部分结晶形成，第二结晶部分由熔融态的第二部分结晶形成。半熔融态的第一部分与熔融态的第二部分是由闪光灯透过第一光罩照射第一部分与第二部分而形成。第一光罩包含部分透光区域与透光区域，部分透光区域对应于第一部分，透光区域对应于第二部分。第二结晶部分是由第一部分与第二部分的接面开始结晶化第二部分而形成。第一结晶部分是第一部分的晶格重新排列而形成。利用闪光灯搭配光罩照射而达成较大面积的结晶，且半导体层的不同部分可具有不同的结晶特性。

技术领域

本揭示内容是关于一种制造技术，且特别是关于一种半导体制造方法与半导体层。

背景技术

为了结晶化半导体，一般而言考虑到基板的内受温度，准分子激光退火(ExcimerLaser Annealing，ELA)的制程是目前较常采用的技术。然而，线扫描(Linear scanning)的准分子激光退火受限于激光光点的尺寸而无法一次处理大面积的区域，并且由于每一个激光光点的功率不稳定，造成均匀性不佳而容易产生斑(Mura)的问题。因此，产能与基板的面积难以提高，生产成本居高不下之外，结晶品质与晶粒尺寸亦不理想。

发明内容

为了提高用于制作半导体元件的结晶部分的结晶品质与晶粒尺寸，本揭示内容是提供一种半导体层，其包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由半熔融态(Semi-fusion)的第一部分结晶形成，第二结晶部分由熔融态(Fusion)的第二部分结晶形成。半熔融态的第一部分与熔融态的第二部分是由闪光灯(Flash lamp)透过第一光罩照射第一部分与第二部分而形成。第一光罩包含部分透光(Semi-transparent)区域与透光区域，部分透光区域对应于第一部分，透光区域对应于第二部分。第一部分邻近第二部分。第二结晶部分是由第一部分与第二部分的接面开始结晶化第二部分而形成。第一结晶部分是第一部分的晶格重新排列而形成。

于本揭示内容的一实施例中，第一结晶部分包含微结晶(Micro crystal)部分。

于本揭示内容的一实施例中，第二结晶部分包含侧向结晶(Lateralcrystallization)部分。

于本揭示内容的一实施例中，还包含：非结晶(Amorphous)部分，是由闪光灯透过第一光罩照射半导体层而形成，其中第一光罩还包含不透光区域，不透光区域对应于非结晶部分。

于本揭示内容的一实施例中，其中闪光灯透过第二光罩照射半导体层以改变半导体层的结晶状况。

本揭示内容的另一态样是提供一种半导体制造方法，包含以下步骤。利用闪光灯与第一光罩，照射半导体层，使该半导体层的第一部分变为半熔融态，并且半导体层的第二部分变为熔融态，其中第一光罩包含部分透光区域与透光区域。部分透光区域对应于第一部分，透光区域对应于第二部分，第一部分邻近第二部分。由第一部分与第二部分的接面开始结晶化第二部分，以形成第二结晶部分。第一部分的晶格重新排列以形成第一结晶部分。

于本揭示内容的一实施例中，第一结晶部分包含微结晶部分。

于本揭示内容的一实施例中，第二结晶部分包含侧向结晶部分。

于本揭示内容的一实施例中，其中第一光罩还包含不透光区域，在利用闪光灯与第一光罩照射半导体层之后，不透光区域对应于半导体层的非结晶部分。

于本揭示内容的一实施例中，还包含：利用该闪光灯与第二光罩，照射半导体层以改变半导体层的结晶状况。