[发明专利]反应腔室及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201811222096.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111081589A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 徐悦 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
1.一种反应腔室，包括基座，所述基座包括用于承载晶片的承载面，其特征在于，还包括离子释放单元，用于向所述反应腔室内输送能与所述晶片上残余电荷进行电性中和的离子。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述离子释放单元包括气路和离子产生器；其中，
所述气路用于将携带有所述离子的气体通入所述反应腔室中；
所述离子产生器用于产生与所述晶片上残余电荷进行电性中和的离子。
3.根据权利要求2中所述的反应腔室，其特征在于，所述离子产生器包括静电针和电源，其中，
所述电源用于向所述静电针施加电源信号；
所述静电针用于在所述电源信号的控制下产生所述离子。
4.根据权利要求2中所述的反应腔室，其特征在于，所述离子释放单元还包括离子控制器，所述离子控制器与所述离子产生器连接，用于控制所述离子产生的时间和所述离子的能量。
5.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述离子产生器还包括气体缓冲盒，所述静电针设置在所述气体缓冲盒中；
所述气路包括第一气路和第二气路；所述第一气路用于将所述中和气体通入所述气体缓冲盒，所述第二气路用于将经过所述气体缓冲盒后带有所述离子的所述中和气体通入所述反应腔室。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述离子释放单元还包括流量控制器，所述流量控制器设置在所述第一气路上，用以控制所述中和气体的流量。
7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述中和气体的流量范围是1sccm～5sccm。
8.根据权利要求2-7中任一所述的反应腔室，其特征在于，所述气路的内径范围是4cm～6cm。
9.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述基座中设置有与所述反应腔室连通的通道，所述气路与所述通道连接。
10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室为权利要求1-9中任一所述的反应腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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