[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

说明书

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。

技术领域

公开的实施方式涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

背景技术

以往，已知在基板处理装置中，在更换蚀刻液时，为了提高蚀刻液中的硅浓度而将仿真基板组浸在基板处理槽中(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2015-56631号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述基板处理装置中，搬送仿真基板组并将仿真基板组浸在蚀刻液中，之后取出仿真基板组并对该仿真基板组进行搬送。因此，直到蚀刻液中的硅浓度提高为止的时间变长。即，蚀刻处理时间变长。

实施方式的一个方式的目的在于提供一种缩短蚀刻处理时间的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，能够缩短蚀刻处理时间。

附图说明

图1是基板处理装置的概要俯视图。

图2是表示第一实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的结构的概要框图。

图3是说明第一实施方式所涉及的溶解液的供给方法的流程图。

图4是表示第二实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的概要框图。

图5是表示第三实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的概要框图。

图6是第三实施方式所涉及的混合器的概要结构截面图。

图7是表示第三实施方式所涉及的基板处理装置的变形例的处理槽的概要框图。

图8是表示第三实施方式所涉及的基板处理装置的变形例的处理槽的概要框图。

图9是表示第四实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的概要框图。

图10是说明第四实施方式所涉及的硅溶液的供给方法的流程图。

附图标记说明

1：基板处理装置；27：蚀刻用的处理槽；45：内槽(基板处理槽)；46：外槽(基板处理槽)；47：温度调节罐(混合部)；50：第一循环线路；60：第二循环线路；70：供给线路；80：混合器(混合部)。

具体实施方式

下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质的实施方式。此外，本发明并不限定于以下所示的实施方式。

(第一实施方式)

如图1所示，第一实施方式所涉及的基板处理装置1具有承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6以及控制部100。图1是基板处理装置1的概要俯视图。在此，将与水平方向正交的方向设为上下方向来进行说明。