[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，具备：

基板处理槽，其用于贮存蚀刻液，通过将基板浸在贮存的所述蚀刻液中来进行蚀刻处理；

第一循环线路，其用于使所述基板处理槽的所述蚀刻液循环；

混合部，其包括混合罐和第二循环线路，所述混合罐被供给新液以及含硅化合物或含有含硅化合物的液体并生成混合液，并且贮存生成的所述混合液，所述第二循环线路用于使所述混合罐的所述混合液循环；

供给线路，其将所述基板处理槽与所述混合部连接，用于向所述基板处理槽供给通过所述混合部进行混合所得的混合液；以及

硅供给部，在开始进行所述蚀刻处理之后，所述硅供给部向所述基板处理槽供给含有含硅化合物的液体。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述混合部将在常温下溶解含有含硅化合物的液体的溶剂与含有含硅化合物的液体混合。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述混合部将所述混合液的温度调节成与所述蚀刻液的温度不同的温度。

4.一种基板处理方法，包括以下工序：

通过第一循环线路使用于贮存蚀刻液的基板处理槽的所述蚀刻液循环，其中，所述基板处理槽通过使基板浸在贮存的所述蚀刻液中来进行蚀刻处理，

生成供给新液以及含硅化合物或含有含硅化合物的液体并进行混合所得的混合液；以及

将生成的所述混合液作为蚀刻液供给到用于进行蚀刻处理的所述基板处理槽，

其中，通过利用第二循环线路使所述新液与所述含硅化合物或所述含有含硅化合物的液体在具有所述第二循环线路的混合罐中循环来生成所述混合液；

在开始进行所述蚀刻处理之后，向所述基板处理槽供给含有含硅化合物的液体。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下工序：

在从开始进行所述蚀刻处理起经过了规定时间之后，向所述基板处理槽供给含有含硅化合物的液体，使经过所述规定时间后的硅浓度比经过所述规定时间前的硅浓度高。

6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下工序：

提高所述混合液中的含硅化合物的浓度；以及

在开始进行所述蚀刻处理之后，向所述基板处理槽供给所述含硅化合物的浓度提高了的混合液。

7.一种存储介质，存储有用于使计算机执行根据权利要求4至6中的任一项所述的基板处理方法的程序。