[发明专利]带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法

说明书

本发明涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。本发明某形态的带电粒子束描绘装置具备：描绘部，对载置于平台的描绘对象的基板照射带电粒子束而描绘图案；标记，设置于所述平台；高度检测器，检测所述标记的表面高度；焦点调整部，使所述带电粒子束合焦于所述基板的表面高度及检测出的所述标记的表面高度；照射位置检测器，检测所述标记表面上的所述带电粒子束的照射位置；漂移修正部，从基于所述照射位置检测器检测出的所述照射位置计算所述标记表面的所述带电粒子束的漂移量，基于该漂移量生成修正所述基板的表面上的漂移导致的照射位置偏移的修正信息；描绘控制部，用所述修正信息修正所述带电粒子束的照射位置。

技术领域

本发明涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。

背景技术

伴随LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽正逐年微细化。为了形成半导体设备所希望的电路图案，采用了以缩小投影型曝光装置而将石英上形成的高精度的原画图案(称为掩膜，或者通过步进器或扫描器而被使用的也特别称为光罩。)缩小转印于晶片上的手法。由电子束描绘装置描绘高精度的原画图案，使用了所谓电子束光刻技术。

电子束描绘装置中，由于各种因素，电子束的照射位置在描绘中随着时间推移而移位的所谓束流漂移的现象会发生。为了抵消该束流漂移，会进行漂移修正。在漂移修正中，用电子束扫描形成于配置在平台上的标记基板的测定用标记来测定电子束的照射位置而求出漂移量。

描绘对象的样本(掩膜)的厚度由于公差而致使每个样本都不同，通常，样本表面的高度与标记基板的表面的高度不一致。电子束斜着入射样本或标记基板的情况下，由于表面高度的不同，标记表面上的漂移量与样本表面上的漂移量之间产生误差。若将标记表面上的漂移量原封不动地用于漂移修正，则会有漂移修正由于误差部分而变得不充分的问题。

日本专利公开公报2013-38297号中公开了一种手法：在平台上设置高度不同的多个标记，选择比样本表面的高度低的标记和比样本表面高度高的标记，基于所选择的2个标记的表面上的漂移量而求出样本表面上的漂移量，而抑制依存于样本表面与标记表面的高低差的束流照射位置的偏差。

但是，日本专利公开公报2013-38297号的手法中，由于需要用电子束扫描至少2个标记来测定漂移量，描绘吞吐量降低。

发明内容

本发明提供高精度地进行漂移修正而使图案的描绘精度提升而能够抑制描绘吞吐量的降低的带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。

本发明某一形态的带电粒子束描绘装置，具备：描绘部，对载置于平台的描绘对象的基板照射带电粒子束而描绘图案；标记，设置于所述平台上；高度检测器，检测所述标记的表面高度；焦点调整部，调整所述带电粒子束的焦点以使得所述带电粒子束合焦至所述基板的表面高度及检测出的所述标记的表面高度；照射位置检测器，通过合焦至所述标记的表面高度的所述带电粒子束的照射，检测所述标记表面上的所述带电粒子束的照射位置；漂移修正部，基于由所述照射位置检测器检测出的所述照射位置来计算所述标记表面上的所述带电粒子束的漂移量，基于该漂移量，生成修正所述基板的表面上的漂移导致的照射位置偏差的修正信息；描绘控制部，使用所述修正信息来修正所述带电粒子束的照射位置。

附图说明

图1是本发明的实施方式的电子束描绘装置的简图。

图2是说明电子束的可变成形的图。

图3(a)是表示正常时的束流轨道的图，图3(b)是表示束流倾斜地入射的情况下的束流轨道的图。

图4是表示束流轨道的例子的图。

图5是表示合焦至标记表面的状态的示意图。

图6是说明实施方式的描绘方法的流程图。

具体实施方式