[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201811178458.0 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109755136A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 伊东一笃;锦博彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 漏极电极 源极电极 钝化膜形成工序 热处理工序 图案化工序 热处理 导电膜 钝化膜 金属层 制造 导电膜形成工序 氧化物半导体 层叠结构 预热处理 覆盖性 沟道层 图案化 恶化 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法，上述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的至少一方包括包含Al层和Al以外的金属层的多个金属层的层叠结构，且上述薄膜晶体管具有包括氧化物半导体的沟道层，上述薄膜晶体管的制造方法的特征在于，具有：
导电膜形成工序，形成上述源极电极和上述漏极电极用的导电膜；
图案化工序，对上述导电膜进行图案化而形成上述源极电极和上述漏极电极；
钝化膜形成工序，形成钝化膜；以及
热处理工序，进行热处理，
在上述图案化工序和上述钝化膜形成工序之间具有先于上述热处理工序进行热处理的预热处理工序。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，
上述预热处理工序的温度是上述热处理工序的温度以上。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，
上述导电膜包括第一Al以外的金属层与上述Al层的两层结构，或者包括第一Al以外的金属层、上述Al层以及第二Al以外的金属层的三层结构。
4.一种薄膜晶体管的制造方法，上述薄膜晶体管的栅极电极包括包含Al层和Al以外的金属层的多个金属层的层叠结构，且上述薄膜晶体管具有包括氧化物半导体的沟道层，上述薄膜晶体管的制造方法的特征在于，具有：
导电膜形成工序，形成栅极电极用的导电膜；
图案化工序，对上述导电膜进行图案化而形成上述栅极电极；
钝化膜形成工序，形成钝化膜；以及
热处理工序，进行热处理，
在上述图案化工序和上述钝化膜形成工序之间具有先于上述热处理工序进行热处理的预热处理工序。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，
上述预热处理工序的温度是上述热处理工序的温度以上。
6.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管的制造方法，
上述导电膜包括第一Al以外的金属层与上述Al层的两层结构，或者包括第一Al以外的金属层、上述Al层以及第二Al以外的金属层的三层结构。
7.一种薄膜晶体管，其特征在于，
具备沟道层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及钝化膜，
上述沟道层包括氧化物半导体，
上述源极电极和上述漏极电极中的至少一方电极包括包含Al层和Al以外的金属层的多个金属层的层叠结构，
上述钝化膜形成为延伸到在上述源极电极和上述漏极电极的相互相对的端面的Al层中形成的空隙。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于，
具备沟道层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及钝化膜，
上述沟道层包括氧化物半导体，
栅极电极包括包含Al层和Al以外的金属层的多个金属层的层叠结构，
上述钝化膜形成为延伸到在上述栅极电极的侧面的Al层中形成的空隙。
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