[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法以及存储设备有效

专利信息
申请号: 201811151454.3 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109726140B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 权吾哲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C16/08;G11C16/34
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 及其 操作方法 以及 存储 设备
【说明书】:

本公开提供了一种非易失性存储器件及其操作方法以及存储设备。该非易失性存储器件包括多个存储块。第一存储块存储第一数据。参考存储块存储了响应于从外部接收的第一直接访问命令指示第一存储块的指示符。根据与第一直接访问命令一起从外部接收的页地址以及指示符的指示来访问第一存储块的第一物理区。

相关申请的交叉引用

专利申请要求于2017年10月27日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0141245的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件。更具体地,本公开涉及被配置为在没有块地址的情况下被访问的存储器件。

背景技术

半导体存储器件通常被分为易失性存储器件或非易失性存储器件。易失性存储器件的读写速度很快,但是当电源中断时,存储在其中的数据消失。相反的是,即使外部的电源中断,非易失性存储器件也保留存储在其中的数据。因此,非易失性存储器件用于存储不管是否供电都要保留的信息。非易失性存储器件的示例是用于便携式电子设备的闪存。

诸如闪存之类的非易失性存储器件可以存储驱动或管理包括非易失性存储器件的存储设备所需的固件。可以将固件作为启动代码加载到诸如DRAM(动态随机存取存储器)的缓冲存储器或者执行存储在用于控制闪存的控制器的ROM(只读存储器)中的单独固件。在从非易失性存储器件加载固件时,需要寻址规则来访问存储固件的物理区。

然而,当非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的控制器的制造商彼此不同时,可能出现关于用于加载固件的寻址规则的问题。例如,对于每个非易失性存储器件的制造商,存储固件的存储块的地址可以不同。在这种情况下,可以通过读取和解析由非易失性存储器件支持的单独的ID来获得存储固件的区(即,存储块的地址)。然而,难以满足不同制造商的不同寻址规则。在寻址规则随制造商变化的情况下,产品的性能和寿命可能降低。因此,诸如本文所描述的那些解决方案变得越来越重要。

发明内容

本公开的实施例涉及用于通过实现以便在没有块地址的情况下被访问的存储设备来处理针对不同存储器供应商而变化的寻址规则的机制。

根据一个示例性的实施例,非易失性存储器件包括包含了第一存储块和参考存储块的多个存储块。所述第一存储块包括存储第一数据的第一物理区。所述参考存储块存储了响应于从外部接收的第一直接访问命令指示所述第一存储块的指示符。可以根据所述指示符的指示和与所述第一直接访问命令一起从所述外部接收的页地址来访问所述第一存储块的其中存储了所述第一数据的所述第一物理区。

根据一个示例性的实施例,存储设备包括控制器和非易失性存储器件。非易失性存储器件包括第一存储块和参考存储块。所述控制器被配置为生成第一直接访问命令和页地址。所述第一存储块包括存储第一数据的第一物理区。所述参考存储块存储了响应于所述第一直接访问命令指示所述第一存储块的指示符。所述控制器被配置为根据所述页地址和所述指示符的指示,访问所述第一存储块的其中存储了所述第一数据的所述第一物理区。

根据一个示例性的实施例,非易失性存储器件包括多个存储块并且由控制器控制。所述多个存储块包括第一存储块和参考存储块。所述第一存储块包括存储要读取的第一数据的第一物理区。所述非易失性存储器件的操作方法包括由所述非易失性存储器件接收来自所述控制器的第一直接访问命令和页地址。所述操作方法还包括响应于所述第一直接访问命令,由存储在所述参考存储块中的指示符指示所述第一存储块。所述操作方法还包括根据所述页地址和所述指示符的指示来访问所述第一存储块的存储要读取的所述第一数据的所述第一物理区。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的示例性的实施例,本公开的上述和其他目的和特征将变得显而易见。

图1是示出根据本公开的实施例的存储设备的示例性配置的各方面的框图。

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