[发明专利]半导体方块电阻的测试方法及测试电路

权利要求书

1.一种半导体方块电阻的测试方法，待测掺杂区域位于半导体基板内，且为第一导电类型；其特征在于，所述方法包括：

在所述待测掺杂区域内形成至少一个第一掺杂区域，所述第一掺杂区域为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；并在所述第一掺杂区域内形成第二掺杂区域，所述第二掺杂区域为第一导电类型；

在所述半导体基板表面上设置至少两个激励电极，其中至少一个所述激励电极与所述第二掺杂区域对应；

在所述半导体基板表面上依次设置至少一个隔离层和与之分别对应的控制电极，所述隔离层和所述控制电极从一个所述第一掺杂区域的边缘延伸至内部所述第二掺杂区域的边缘；

通过两个激励电极施加激励电流，并测试位于两个激励电极之间的待测掺杂区域之间的电压，获得待测掺杂区域的方块电阻值。

2.根据权利要求1所述的半导体方块电阻的测试方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，

所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

3.根据权利要求1所述的半导体方块电阻的测试方法，其特征在于，所述测试位于所述两个所述激励电极之间的待测掺杂区域的方块电阻的步骤，包括：

在所述两个所述激励电极之间设置至少一对探针，所述一对探针包括第一探针和第二探针；并测量所述第一探针与所述第二探针之间的距离；

获取激励电流的数值；

测试所述第一探针和所述第二探针之间的电压值；

根据下列公式计算待测掺杂区域的方块电阻值：其中，V为所述第一探针和所述第二探针之间的电压值，I为所述激励电流的数值，n为所述第一探针与所述第二探针之间的距离。

4.根据权利要求1所述的半导体方块电阻的测试方法，其特征在于，所述测试位于所述两个所述激励电极之间的待测掺杂区域的方块电阻的步骤，包括：

在所述两个所述激励电极之间设置至少一组探针，所述一组探针包括第一探针、第二探针和第三探针；并测量所述第二探针与所述第一探针之间的距离、所述第二探针与所述第三探针之间的距离；

分别测试所述第二探针与所述第一探针之间的电压值、所述第二探针与所述第三探针之间的电压值；

获取激励电流的数值；

根据下列公式计算待测掺杂区域的方块电阻值：其中，R_sq为待测的方块电阻值，V₂₁为所述第二探针与所述第一探针之间的电压值，V₂₃为所述第二探针与所述第三探针之间的电压值，n₂₁为所述第二探针与所述第一探针之间的距离，n₂₃为所述第二探针与所述第三探针之间的距离，I为所述激励电流的数值。

5.根据权利要求3或4所述的半导体方块电阻的测试方法，其特征在于，所述探针设置于所述两个激励电极的连线上。

6.根据权利要求3所述的半导体方块电阻的测试方法，其特征在于，通过高阻抗的电压测试装置测试两个位置之间的电压。

7.根据权利要求1所述的半导体方块电阻的测试方法，其特征在于，所述通过两个激励电极施加激励电流，同时测试位于所述两个所述激励电极之间的待测掺杂区域的方块电阻的步骤之前，还包括：

在所述待测掺杂区域所在的半导体基板表面上设置偏置电极，所述偏置电极位于所述待测掺杂区域的外部；

当所述第一导电类型为N型时，将所述偏置电极接负电压，或者当所述第一导电类型为P型时，将所述偏置电极接正电压。