[发明专利]阵列基板及其制备方法、以及显示面板

说明书

本发明的实施例公开了阵列基板及其制备方法、以及显示面板。该阵列基板包括基板、在基板之上设置的屏蔽层、在屏蔽层之上设置的第一绝缘层、在第一绝缘层之上设置的驱动薄膜晶体管的有源层、以及设置在有源层之上的导电结构。有源层在基板上的正投影与屏蔽层在基板上的正投影至少部分重叠。屏蔽层与导电结构耦接。采用根据本发明的实施例的阵列基板，能够释放在屏蔽层上积累的电荷，从而不影响驱动薄膜晶体管的特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及阵列基板及其制备方法以及相应的显示面板。

背景技术

当前，有机发光二极管(OLED)显示装置已经被广泛应用。薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)是构成OLED显示装置的像素单元的重要部件。图1示出了常用的OLED像素单元的示例性电路图。如图1所示，OLED像素单元可包括驱动晶体管T2、开关晶体管T1、存储电容C和OLED发光器件。在OLED显示装置的阵列基板中，通常在各个像素单元的驱动晶体管的下方设置屏蔽层，以用于遮蔽环境光对驱动晶体管的影响。

发明内容

本发明的实施例提供了阵列基板及其制备方法以及相应的显示面板，其能够释放在屏蔽层上积累的电荷，从而避免积累的电荷对薄膜晶体管的特性造成影响。

根据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板。该阵列基板包括基板、在基板之上设置的屏蔽层、在屏蔽层之上设置的第一绝缘层、在第一绝缘层之上设置的驱动薄膜晶体管的有源层、以及设置在该有源层之上的导电结构。进一步地，有源层在基板上的正投影与屏蔽层在基板上的正投影至少部分重叠，并且屏蔽层与导电结构耦接。

在本发明的实施例中，导电结构可包括驱动薄膜晶体管的源电极、漏电极或栅极。

在本发明的实施例中，阵列基板还可包括在有源层之上设置的第二绝缘层。

在本发明的实施例中，导电结构可被设置在第二绝缘层之上，并构成驱动薄膜晶体管的栅极。

在本发明的实施例中，阵列基板还可包括穿过第一和第二绝缘层的第一过孔，该第一过孔将栅极耦接到屏蔽层。

在本发明的实施例中，阵列基板还可包括在第二绝缘层上设置的栅极、以及在该栅极和该第二绝缘层上设置的第三绝缘层。

在本发明的实施例中，导电结构可被设置在第三绝缘层之上，并构成薄膜晶体管的源电极或漏电极。

在本发明的实施例中，阵列基板还可包括穿过第一、第二以及第三绝缘层的第二过孔，该第二过孔将源电极耦接到屏蔽层。

在本发明的实施例中，阵列基板还可包括穿过第一、第二以及第三绝缘层的第三过孔，该第三过孔将漏电极耦接到屏蔽层。

在本发明的实施例中，阵列基板还可包括设置在第三绝缘层上的电源线，该电源线耦接到源电极。

在本发明的实施例中，阵列基板还可包括设置在第三绝缘层上的第四绝缘层、以及设置在该第四绝缘层上的发光器件，其中，该发光器件与驱动薄膜晶体管的漏电极耦接。

在本发明的实施例中，屏蔽层可采用金属或合金制成。

根据本发明的第二方面，提供了一种显示面板。该显示面板包括如上根据本发明的第一方面的阵列基板。

根据本发明的第三方面，提供了一种制备阵列基板的方法。该方法包括：在基板之上形成屏蔽层，在屏蔽层之上形成第一绝缘层，在第一绝缘层之上形成驱动薄膜晶体管的有源层，其中，该有源层在基板上的正投影与屏蔽层在基板上的正投影至少部分重叠。该方法还包括在有源层之上形成导电结构，其中，该导电结构被形成为与屏蔽层耦接。

在本发明的实施例中，导电结构可包括驱动薄膜晶体管的源电极、漏电极或栅极。