[发明专利]阵列基板及其制备方法、以及显示面板在审
申请号: | 201811027011.3 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN110875363A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 李新国;程鸿飞;郝学光;龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;牛南辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 以及 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板;
在所述基板之上设置的屏蔽层;
在所述屏蔽层之上设置的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层之上设置的驱动薄膜晶体管的有源层,其中所述有源层在所述基板上的正投影与所述屏蔽层在所述基板上的正投影至少部分重叠;以及
设置在所述有源层之上的导电结构,
其中,所述屏蔽层与所述导电结构耦接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述导电结构包括所述驱动薄膜晶体管的源电极、漏电极或栅极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,还包括:在所述有源层之上设置的第二绝缘层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述导电结构被设置在所述第二绝缘层之上,并构成所述驱动薄膜晶体管的栅极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,还包括:
穿过所述第一和第二绝缘层的第一过孔,所述第一过孔将所述栅极耦接到所述屏蔽层。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,还包括:
在所述第二绝缘层上设置的栅极;以及
在所述栅极和所述第二绝缘层上设置的第三绝缘层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其中,所述导电结构被设置在所述第三绝缘层之上,并构成所述驱动薄膜晶体管的源电极或漏电极。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,还包括:
穿过所述第一、第二以及第三绝缘层的第二过孔,所述第二过孔将所述源电极耦接到所述屏蔽层。
9.根据权利要求7所述的阵列基板,还包括:
穿过所述第一、第二以及第三绝缘层的第三过孔,所述第三过孔将所述漏电极耦接到所述屏蔽层。
10.根据权利要求7所述的阵列基板,还包括:设置在所述第三绝缘层上的电源线,所述电源线耦接到所述源电极。
11.根据权利要求7所述的阵列基板,还包括:
设置在所述第三绝缘层上的第四绝缘层;以及
设置在所述第四绝缘层上的发光器件,其中,所述发光器件与所述驱动薄膜晶体管的所述漏电极耦接。
12.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述屏蔽层采用金属或合金制成。
13.一种包括根据权利要求1至12任一项所述的阵列基板的显示面板。
14.一种制备阵列基板的方法,包括:
在基板之上形成屏蔽层;
在所述屏蔽层之上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层之上形成驱动薄膜晶体管的有源层,其中所述有源层在所述基板上的正投影与所述屏蔽层在所述基板上的正投影至少部分重叠;以及
在所述有源层之上形成导电结构,其中,所述导电结构被形成为与所述屏蔽层耦接。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述导电结构包括所述驱动薄膜晶体管的源电极、漏电极或栅极。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括:
在所述有源层之上形成第二绝缘层。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述导电结构被形成在所述第二绝缘层之上,并构成所述驱动薄膜晶体管的栅极。
18.根据权利要求17所述的方法,还包括:
形成穿过所述第一和第二绝缘层的第一过孔,所述第一过孔将所述栅极耦接到所述屏蔽层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的