[发明专利]一种图案化铁电材料修饰的有机太阳能电池及制备方法在审
申请号: | 201811023935.6 | 申请日: | 2018-09-01 |
公开(公告)号: | CN109545982A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 邓晓千;冯祖勇;黄细平;何苗;周惠媛;熊德平 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案化 制备 有机太阳能电池 铁电材料 活性层 铁电层 修饰 电子注入层 空穴传输层 有机复合层 铁电 吸收率 载流子 太阳能电池效率 载流子迁移率 纳米柱阵列 载流子迁移 太阳能电池 制备铁电 电极 衬底基 窗口层 活跃层 有效地 光子 衬底 淬灭 基底 旋涂 蒸镀 薄膜 清洗 吸收 制造 | ||
本发明涉及太阳能电池制造领域,更具体地,涉及一种图案化铁电材料修饰的有机太阳能电池及制备方法。一种图案化铁电材料修饰的有机太阳能电池的制备方法,具体包括以下步骤,以ITO导电玻璃作为窗口层,清洗衬底;在衬底基底上面旋涂制备空穴传输层;在空穴传输层上面制备铁电层;在铁电层薄膜上制备活性层,活性层与铁电层形成铁电‑有机复合层;在铁电‑有机复合层上面形成电子注入层;在电子注入层上面蒸镀电极。本发明加入图案化的纳米柱阵列铁电层材料,器件的电流大大提高,增大基底与活跃层的接触面积,缩短了载流子迁移路径,减少了载流子淬灭,有效地提高载流子迁移率;图案化的结构有利于活性层对于光子的吸收,能提高光的吸收率,促进太阳能电池效率的提高。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造领域,更具体地,涉及一种图案化铁电材料修饰的有机太阳能电池及制备方法。
背景技术
传统固态光电器件可以产生的最大电压等于其电子能隙,即使是所谓的串联细胞——其中有一些半导体正-负联结的堆积,其能产生的光电电压也是有限的,因为光穿透的深度是有限的。半导体的光生伏打效应是由宏观不均匀性造成的,产生光伏电压一般不超过半导体的禁带宽度(一般为数伏)。另外,生产晶体硅、GaAs等传统太阳能电池的技术是高能耗、高污染的,因此,导致目前太阳能电池的成本较高,发电价格远远高于火力或水力发电价格。
光伏发电是太阳能利用的一种有效方式,是可再生能源利用中重要的组成部分,也是近年来发展最快、最具活力、最受瞩目的研究领域。目前光伏发电在整个能源结构中所占的比重还很小(不到1%),其中最主要的原因是成本太高。据统计,传统的晶硅电池组件成本的65%来自硅片,消耗硅资源多,原材料供应紧张,很难适应未来大规模推广应用的需求。而薄膜太阳电池以其自身特殊的优势在近几年得到了迅速发展:薄膜的使用能够很大程度地节省原材料,降低电池成本;可以采用低温制备技术降低能耗,缩短能源回收期;低温技术的采用还使得玻璃、塑料等廉价衬底的使用成为现实;材料和电池同步制备,工艺简单,可以大面积连续化自动生产。
有机太阳能电池是20世纪90年代发展起来的新型太阳能电池,与无机太阳能电池相比,他具有成本低、厚度薄、质量轻、吸光洗漱高、制造工艺简单、可做成大面积柔性器件等特点。但是目前有机太阳电池的转换效率仍然较低且寿命较短,存在着载流子迁移率低、结构无序、高的体电阻以及电池的耐久性差等问题,是有机太阳能电池实用化和产业化的瓶颈。因此如何有效提高有机半导体对太阳光的吸收、提高激子的分离和迁移,减少激子的复合损失,是提高有机太阳能电池性能的一条重要途径。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种图案化铁电材料修饰的有机太阳能电池及制备方法。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种图案化铁电材料修饰的有机太阳能电池,包括从下至上的玻璃衬底、空穴传输层、活性层、电子注入层以及电极,所述空穴传输层与所述活性层之间设置有铁电层,所述铁电层与所述活性层组成铁电-有机复合层。在本技术方案中,在有机太阳能电池器件结构中引入铁电层,可利用其强的电极化提供内电场,促进激子分离,降低电子和空穴的复合,从而提升了电池的光电转转效率;将铁电层添加在空穴传输层与活性层之间,活性层与铁电层组成了铁电-有机复合层,避免了化学反应的影响,保证载流子通道的同时也能提高铁电层的性能。
优选地,所述玻璃衬底为ITO导电玻璃,所述ITO导电玻璃的方阻为20Ω/□,所述ITO导电玻璃的规格为1.5cm×1.5cm。ITO导电玻璃的规格为1.5cm×1.5cm,能够保证ITO玻璃表面的有效覆盖面积为1.0cm×1.5cm。
优选地,所述电极为Al材料。
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