[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811011635.6 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109786333A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;李承翰;张世杰;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 鳍状物 间隔物 栅极结构 第一侧壁 半导体结构 第二侧壁 堆叠 硅锗通道 外部应力 硅锗源 硼掺杂 对向 漏极 诱发 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成一或多个栅极结构于一鳍状物上，其中该鳍状物包括一鳍状物高度、一第一侧壁、以及与该第一侧壁对向的一第二侧壁；
形成一第一间隔物于该鳍状物的该第一侧壁上，并形成一第二间隔物于该鳍状物的该第二侧壁上；
蚀刻该鳍状物以降低所述栅极结构之间的该鳍状物高度；
蚀刻所述栅极结构之间的该第一间隔物与该第二间隔物，使蚀刻后的该第一间隔物比蚀刻后的该第二间隔物短，且蚀刻后的该第一间隔物与蚀刻后的该第二间隔物比蚀刻后的该鳍状物短；以及
形成一外延堆叠于所述栅极结构之间的蚀刻后的该鳍状物上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
