[发明专利]一种防漏电LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种防漏电LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底上的外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，位于外延层边缘的第一裸露区域，以及与第一裸露区域连通的第二裸露区域，其中，第一裸露区域贯穿第二半导体层、有源层和第一半导体层并延伸至衬底表面，第二裸露区域贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层；

在第二半导体层上形成透明导电层；

在第一半导体层上形成第一电极，在透明导电层上形成第二电极，得到LED晶圆；

在LED晶圆上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖在第一裸露区域的表面和侧壁、第二裸露区域的表面和侧壁、第一电极的侧壁、以及第二电极的侧壁；

其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层由SiO₂制成，第二绝缘层由SiN制成。

2.如权利要求1所述的防漏电LED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光结构的制作方法包括：

提供衬底；

在衬底表面形成外延层，所述外延层包括设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层、以及设于有源层上的第二半导体层；

对所述外延层的边缘进行刻蚀，形成贯穿第二半导体层、有源层和第一半导体层并延伸至衬底表面的第一裸露区域；

对靠近第一裸露区域的外延层进行刻蚀，形成贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的第二裸露区域。

3.如权利要求2所述的防漏电LED芯片的制作方法，其特征在于，第一裸露区域和第二裸露区域的侧壁具有预设的倾斜角度。

4.如权利要求3所述的防漏电LED芯片的制作方法，其特征在于，第一裸露区域和第二裸露区域侧壁的倾斜角度为3-15度。

5.如权利要求1所述的防漏电LED芯片的制作方法，其特征在于，第一绝缘层的厚度为1000-3000埃，第二绝缘层的厚度为5000-10000埃。

6.如权利要求1所述的防漏电LED芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的制作方法包括：

采用等离子增强化学气相沉积工艺，通入SiO₂，在LED晶圆上沉积形成第一绝缘层，其中，第一绝缘层覆盖在第一裸露区域的表面和侧壁、第二裸露区域的表面和侧壁、第一电极的表面和侧壁、以及第二电极的表面和侧壁。

停止通入SiO₂，并通入SiN，在第一绝缘层上沉积形成第二绝缘层；

对第二绝缘层和第一绝缘层进行刻蚀，将第一电极和第二电极裸露出来。

7.如权利要求1所述的防漏电LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的面积小于第二半导体层的面积。

8.一种防漏电LED芯片，其特征在于，包括：

发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底上的外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，位于外延层边缘的第一裸露区域，以及与第一裸露区域连通的第二裸露区域，其中，第一裸露区域贯穿第二半导体层、有源层和第一半导体层并延伸至衬底表面，第二裸露区域贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层；

设于第二半导体层上的透明导电层；

设于第一半导体层上的第一电极，设于透明导电层上的第二电极；

绝缘层，所述绝缘层覆盖在第一裸露区域的表面和侧壁、第二裸露区域的表面和侧壁、第一电极的侧壁、以及第二电极的侧壁；

其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层由SiO₂制成，第二绝缘层由SiN制成。

9.如权利要求8所述的防漏电LED芯片，其特征在于，第一裸露区域和第二裸露区域的侧壁具有预设的倾斜角度。

10.如权利要求9所述的防漏电LED芯片，其特征在于，第一裸露区域和第二裸露区域侧壁的倾斜角度为3-15度。