[发明专利]具有控制器及存储器堆叠的灵活存储器系统

说明书

本发明涉及具有控制器及存储器堆叠的灵活存储器系统。本文中大体描述一种用于提供所述灵活存储器系统的系统及方法的实施例。在一些实施例中，提供衬底，其中存储器堆叠耦合到所述衬底。所述存储器堆叠包含一定数目个存储库。控制器也耦合到所述衬底且包含耦合到所述存储器堆叠的所述数目个存储库的一定数目个存储库接口块，其中存储库接口块的所述数目小于存储库的所述数目。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。本分案的母案是申请日为2014年3月6日、申请号为201480023543.3、发明名称为“具有控制器及存储器堆叠的灵活存储器系统”的发明专利申请案。

优先权申请案

本申请案主张对2013年6月17日提出申请的第13/919,503号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案主张对2013年3月15日提出申请的第61/791,182号美国临时申请案的优先权权益，所述申请案以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

存储器带宽已变为高性能计算、高端服务器、图形及(很快)中层级服务器中的系统性能的瓶颈。微处理器启用器是双倍核心且为每核心若干线程，以通过将工作组分散到若干较小块中及将其分散于增加数目的工作元件(即，核心)当中而大幅增加性能及工作负载能力。每处理器具有多个计算机元件导致每计算机元件增加量的存储器。此导致对将紧密耦合到处理器以解决这些挑战的存储器带宽及存储器密度的较大需要。当前存储器技术蓝图不提供满足中央处理单元(CPU)及图形处理单元(GPU)存储器带宽目标的性能。

为解决对将紧密耦合到处理器的存储器带宽及存储器密度的需要，可实施混合存储器立方体(HMC)使得可将存储器与控制器放置于相同衬底上，使得存储器系统能够较优选地执行其既定任务。所述HMC可以由内部垂直导体(例如穿硅导通孔(TSV)，所述内部垂直导体是将个别存储器裸片的堆叠与控制器电连接的垂直导体)连接的个别存储器裸片的堆叠以便组合高性能逻辑与动态随机存取存储器(DRAM)为特征。HMC在使用较少能量传送数据的同时实现带宽及效率，且提供小外观尺寸。在HMC的一个实施例中，控制器包括与使用TSV连接的垂直DRAM堆叠介接的高速逻辑层。所述DRAM处置数据，而所述逻辑层处置HMC内的DRAM控制。

在其它实施例中，举例来说，HMC可实施于多芯片模块(MCM)衬底上或硅中介层上。MCM是专门电子封装，其中将多个集成电路(IC)、半导体裸片或其它离散组件封装到统一衬底上，借此促进其作为组件而使用(例如，因此显现为一个较大IC)。硅中介层是介于一个连接(例如，插口)与另一连接之间的电接口布线。中介层的用途是将连接展开到较宽间距或将连接重新布线到不同连接。

然而，HMC中的DRAM堆叠具有比许多应用可使用的带宽及信号数更多的带宽及信号数。HMC中的DRAM堆叠的高信号数及高带宽使得具成本效益的主机接口为困难的。

附图说明

图1图解说明根据一实施例的灵活存储器系统的72位存储库；

图2图解说明根据另一实施例的灵活存储器系统的36位存储库；

图3图解说明根据另一实施例的灵活存储器系统的36位存储库；

图4图解说明根据一实施例的灵活存储器系统；

图5图解说明根据一实施例的计算机系统的框图；

图6图解说明另一计算机系统的框图；

图7a-7b图解说明根据一实施例的灵活存储器系统；

图8是展示根据一实施例的功率节省的图；及

图9是根据一实施例的用于形成灵活存储器系统的方法的流程图。

具体实施方式