[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810971254.6 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109103229B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 申永奇;卜斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘剑波 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括基板;位于基板一侧的辅助阴极层;位于辅助阴极的远离基板的一侧的电连接层,电连接层在远离辅助阴极一侧的表面上设有尖端;位于电连接层中的导电体,导电体的材料在受热情况下体积发生膨胀;位于基板一侧的像素界定层,像素界定层包括第一像素界定部和第二像素界定部,电连接层位于第一像素界定部和第二像素界定部之间;位于电连接层的远离辅助阴极的一侧的有机材料层,有机材料层上设有开口,以露出尖端;位于有机材料层的远离电连接层的一侧的主阴极层,主阴极层与尖端接触。本公开能够实现主阴极层与辅助阴极层的电连接,有效提高生产效率。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
在OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)器件的相关技术中,为了改善OLED器件的亮度不均匀问题,通过增加与阴极电连接的辅助电极,以降低阴极方阻,降低显示面板的压降(IR Drop),改善OLED器件的亮度均匀性。
发明内容
本公开提出一种实现阴极层与辅助阴极电连接的方案。
根据本公开实施例的第一方面,提供一种显示面板,包括:基板;辅助阴极层,位于所述基板的一侧;电连接层,位于所述辅助阴极的远离所述基板的一侧,所述电连接层在远离所述辅助阴极的一侧的表面上设有尖端;导电体,位于所述电连接层中,所述导电体的材料在受热情况下体积发生膨胀;像素界定层,位于所述基板的一侧,所述像素界定层包括第一像素界定部和第二像素界定部,所述电连接层位于所述第一像素界定部和第二像素界定部之间;有机材料层,位于所述电连接层的远离所述辅助阴极的一侧,所述有机材料层上设有开口,以露出所述尖端;主阴极层,位于所述有机材料层的远离所述电连接层的一侧,所述主阴极层与所述尖端接触。
在一些实施例中,所述导电体的材料包括膨胀石墨。
在一些实施例中,辅助阴极层为导电网格。
根据本公开实施例的第二方面,提供一种显示装置,包括:如上述任一实施例涉及的显示面板。
根据本公开实施例的第三方面,提供一种显示面板的制备方法,包括:在基板上形成辅助阴极层;在所述辅助阴极层上形成电连接层,所述电连接层中设有导电体,所述导电体的材料在受热情况下体积发生膨胀;在所述基板上形成像素界定层,所述像素界定层包括第一像素界定部和第二像素界定部,所述电连接层位于所述第一像素界定部和第二像素界定部之间;对所述导电体进行加热,以便通过所述导电体膨胀使所述电连接层的表面上形成尖端;在所述电连接层上形成有机材料层;使所述尖端放电,以便在所述有机材料层上形成开口,从而露出所述尖端;在所述有机材料层上形成主阴极层,所述主阴极层与所述尖端接触。
在一些实施例中,在所述辅助阴极层上形成电连接层包括:在所述辅助阴极层上形成所述导电体;在所述导电体上沉积导电材料以形成所述电连接层。
在一些实施例中,对所述导电体进行加热,以便通过所述导电体膨胀使所述电连接层的表面上形成尖端包括:对所述导电体进行加热,以便通过所述导电体膨胀使所述电连接层的表面上形成突起;对所述突起进行刻蚀,以得到所述尖端。
在一些实施例中,通过利用等离子轰击,以使得所述尖端放电。
在一些实施例中,所述导电体的材料包括膨胀石墨。
本公开通过在辅助阴极层和主阴极层之间设置电连接层,在电连接层中设置导电体,导电体在受热情况下体积发生膨胀,从而在电连接层表面上形成尖端。通过尖端放电,在覆盖电连接层的有机材料层上形成开口,以露出尖端。主阴极层通过有机材料层上的开口与电连接层的尖端接触,从而使得主阴极层通过电连接层与辅助阴极层电连接。该方案工艺过程简单,能有效提高生产效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的