[发明专利]带有单围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种带有单围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构，其特征在于，包括：

封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚；

滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述芯片下表面具有若干电极；

若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；

围堰，与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔；

其中，所述封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，所述围堰位于若干通孔的内侧，所述互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，所述金属柱结构导通所述电极，所述电镀层结构导通所述外部引脚，所述焊锡用于导通所述金属柱结构及所述电镀层结构。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱结构包括金属柱及导通所述金属柱及所述电极的UBM层，所述电镀层结构包括覆盖于所述通孔内壁并延伸至所述基板上表面、所述基板下表面的电镀种子层及位于所述电镀种子层外且与所述电镀种子层相互匹配的电镀层，所述焊锡包覆所述金属柱并延伸至所述通孔而导通所述通孔内壁的所述电镀层。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电镀层结构延伸至所述基板上表面的宽度小于所述电镀层结构延伸至所述基板下表面的宽度。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述焊锡的上表面的外圈区域与所述电镀层结构的上表面齐平。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电镀层结构的上表面与所述电极的下表面之间具有重叠区域且具有缝隙。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述围堰与若干通孔之间具有间隙。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的塑封层，所述塑封层同时包覆所述围堰外侧区域及所述滤波器芯片，且所述封装结构还包括设置于所述基板下表面且暴露出所述外部引脚的防焊层。

8.一种带有单围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1：提供滤波器芯片，其具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面具有若干电极；

S2：于所述电极的下表面形成金属柱结构；

S3：提供封装基板，其具有相对设置的基板上表面及基板下表面；

S4：于所述封装基板上形成若干通孔；

S5：于所述通孔内壁及连接所述通孔内壁的基板上表面、基板下表面形成电镀层结构；

S6：于所述基板上表面形成围堰；

S7：将所述滤波器芯片组装至所述封装基板，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述围堰位于若干通孔的内侧，且所述围堰与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔；

S8：于所述金属柱结构外围形成导通所述金属柱结构及所述电镀层结构的焊锡；

S9：于所述电镀层结构下方形成外部引脚。

9.根据权利要求8所述的封装结构的制作方法，其特征在于，

步骤S2具体包括：

于所述电极的下表面依次形成UBM层及金属柱；

步骤S5具体包括：

于所述通孔内壁及连接所述通孔内壁的部分基板上表面、全部基板下表面形成电镀种子层；

于所述基板下表面的所述电镀种子层的下方形成第二光刻胶膜，并于所述第二光刻胶膜曝光和显影形成若干第二孔洞，所述第二孔洞暴露出所述通孔及电镀种子层；

于暴露在外的电镀种子层上形成电镀层；

去除第二光刻胶膜；

去除暴露在外的电镀种子层。

10.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S8、S9具体包括：

于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧形成塑封层，所述塑封层同时包覆所述围堰外侧区域及所述滤波器芯片，若干金属柱朝向若干通孔延伸；

于所述金属柱外围形成焊锡，所述焊锡延伸至所述通孔并与导通所述通孔内壁的电镀层；

于基板下表面形成防焊层，所述防焊层同时包覆所述基板下表面、所述电镀层及所述焊锡；

于所述防焊层曝光和显影形成若干第三孔洞，所述第三孔洞暴露出所述电镀层；

于若干第三孔洞内形成球栅阵列。