[发明专利]堆叠式芯片封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种堆叠式芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

提供第一芯片；

在第一芯片外围形成塑封层，所述塑封层和第一芯片的表面上具有空白区域；

提供第二芯片，所述第二芯片为倒装芯片；

将第二芯片倒装封装于所述第一芯片和塑封层的空白区域上。

2.根据权利要求1所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

提供晶圆，所述晶圆具有多颗网格排布的第一芯片，所述第一芯片具有彼此相对的第一表面以及第二表面，所述第一芯片具有位于所述第一表面的感应区以及与感应区电耦合的焊垫；

在第一芯片之间施加塑封材料，使第一芯片之间的空间被完全填充，并且第一芯片的第二表面完全被塑封材料覆盖；

研磨塑封材料形成塑封层，露出第一芯片；

在所述第一芯片的第二表面形成朝向第一表面延伸的通孔，所述通孔底部暴露出所述焊垫；

在所述第一芯片和塑封层上形成第一再布线层，所述第一再布线层自通孔的底部和侧壁延伸至所述第一芯片及塑封层上方，所述第一再布线层与所述焊垫电连接；

在所述第一芯片上未被第一再布线层覆盖的空白区域内形成电连接部；

在所述空白区域内形成第二再布线层，所述第二再布线层与所述电连接部电连接，且第二再布线层自电连接部围设形成的区域向外延伸；

将第二芯片通过倒装工艺封装于第一芯片的空白区域上，所述第二芯片为倒装芯片，且第二芯片与所述电连接部对位封装；

在所述第一芯片的第二表面上部、塑封层上部以及所述通孔中形成阻焊层，所述阻焊层覆盖所述第一再布线层和第二再布线层；

在阻焊层上形成电连接所述第一再布线层的第一电连接端子和电连接所述第二再布线层的第二电连接端子；

对晶圆进行切割，获得多个独立的堆叠式芯片封装结构。

3.根据权利要求2所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，所述第一电连接端子设于所述塑封层与通孔之间的第一芯片和/或塑封层上方的第一再布线层上。

4.根据权利要求2所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，“将第二芯片通过倒装工艺封装于第一芯片的空白区域上”前还包括：

在所述第一芯片的第二表面上形成第三再布线层，所述第三再布线层直接或间接导通相应的焊垫和电连接部。

5.根据权利要求4所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，所述第三再布线层的一端电性连接至焊垫或第一再布线层，另一端电性连接至电连接部或第二再布线层。

6.根据权利要求2所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，“在阻焊层上形成电连接所述第一再布线层的第一电连接端子和电连接所述第二再布线层的第二电连接端子”步骤后还包括：

电性导通相应的第一电连接端子和第二电连接端子。

7.根据权利要求6所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，“电性导通相应的第一电连接端子和第二电连接端子”具体为：

通过电连接线连接相应的第一电连接端子和第二电连接端子。

8.根据权利要求6所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，“电性导通相应的第一电连接端子和第二电连接端子”具体为：

提供线路板，所述线路板上设有线路层；

将线路板封装于堆叠式芯片封装结构上，通过线路层连接相应的第一电连接端子和第二电连接端子。

9.根据权利要求2所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，每个第一芯片第二表面上的空白区域内封装有一个或多个第二芯片。

10.根据权利要求2所述的堆叠式芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：

对形成的阻焊层进行烘烤；

去除塑封层边缘的部分阻焊层。