[发明专利]半导体存储装置及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

存储单元；

第1焊垫，经由该第1焊垫接收输出指令信号；

第2焊垫，经由该第2焊垫输出数据信号；

第3焊垫，经由该第3焊垫输出选通信号；及

控制电路；其中

当接收到读出指令时，所述控制电路对所述存储单元执行读出动作，且响应于所述输出指令信号而与所述选通信号同步地输出所述数据信号，且

当接收到与所述读出指令不同的第1指令时，则在响应于所述输出指令信号从另一半导体存储装置读出数据时，所述控制电路执行第1校正动作以校正响应于所述输出指令信号的所述选通信号的占空比。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中：

所述输出指令信号是在高电平与低电平之间周期性地触变的触变信号，且所述半导体存储装置进而具备：

检测电路，其构成为检测所述选通信号的所述占空比；及

修正电路，其构成为基于所述检测电路检测到的所述占空比而修正所述选通信号的所述占空比。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

当接收到不同于所述读出指令及所述第1指令的第2指令时，则在不启用所述另一半导体存储装置时，所述控制电路执行第2校正动作以校正所述选通信号的所述占空比。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第1校正动作及所述第2校正动作进行所述占空比的校正所需的时间互不相同。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述第1校正动作及所述第2校正动作是所述占空比的校正精度互不相同。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

当接收到所述第1指令时，则在响应于所述输出指令信号从所述另一半导体存储装置读出数据时，所述控制电路执行所述第1校正动作以校正所述选通信号的所述占空比，且第3半导体存储装置执行第3校正动作以校正响应于所述输出指令信号在所述第3半导体存储装置中的选通信号的占空比。

7.一种存储器系统，其具备：

控制器装置；及

第1存储芯片及第2存储芯片，其各自包含存储单元，且所述第1存储芯片及所述第2存储芯片被连接到所述控制器装置而从所述控制器装置接收输出指令信号；其中

当在所述第1存储芯片处从所述控制器装置接收到第1指令，且此后在所述第2存储芯片处从所述控制器装置接收到不同于所述第1指令的读出指令时，则在响应于所述输出指令信号从所述第2存储芯片读出数据时，所述第1存储芯片执行第1校正动作以校正响应于所述输出指令信号的选通信号的占空比。

8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中当在所述第1存储芯片处从所述控制器装置接收到第2指令时，则在不启用所述第2存储芯片时，所述第1存储芯片执行第2校正动作以校正所述选通信号的所述占空比。

9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中

所述控制器装置对所述第1指令或所述第2指令的发行后的经过时间进行监控，且在所述经过时间超出指定的阈值的情况下，发行另一第1指令。

10.根据权利要求8所述的存储器系统，其中

所述控制器装置对所述存储器系统内的温度进行监控，且在最近发行的所述第1指令或所述第2指令之后所述温度变化至少指定的阈值的情况下，发行所述第1指令。

11.根据权利要求8所述的存储器系统，其中

所述控制器装置对供给至所述控制器装置、所述第1存储芯片及所述第2存储芯片的电压进行监控，且在最近发行的所述第1指令或所述第2指令之后所述电压变化至少指定的阈值的情况下，发行所述第1指令。