[发明专利]倒装发光芯片及其制造方法

说明书

本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并分别经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。

技术领域

本发明涉及半导体发光二极管，特别涉及一倒装发光芯片及其制造方法。

背景技术

近年来，发光二极管的倒装芯片及其相关技术得到了突飞猛进式的发展，其中根据倒装芯片的反射材料的不同，可以将倒装芯片区分为ITO+DBR反射结构的倒装芯片和金属反射结构(例如Ag/Al)的倒装芯片，其中因为金属反射结构(特别是Ag金属反射结构)在可见光范围具有更高的反射率，因此，金属反射结构被广泛地应用于倒装芯片中。并且，根据倒装芯片的绝缘层的对数的不同，倒装芯片可以被区分为单ISO(绝缘阻挡层)结构的倒装芯片和双ISO结构的倒装芯片，相对于单ISO结构的倒装芯片来说，双ISO结构的倒装芯片的电流能够被扩展的更均匀，光效更高，其被广泛地应用于汽车照明中。

图1示出了现有技术的双ISO结构的倒装芯片的剖视示意图，其中该倒装芯片藉由九道光刻制程制作。具体地说，该倒装芯片包括一衬底10P、一外延叠层20P、一反射层30P、一阻挡层40P、一N欧姆接触层50P、一第一绝缘层60P、一扩展电极层70P、一第二绝缘层80P以及一电极组90P。所述外延叠层20P包括一N型半导体层21P、一有源区22P以及一P型半导体层23P，其中所述衬底10P、所述N型半导体层21P、所述有源区22P以及所述P型半导体层23P依次层叠。所述外延叠层20P进一步包括至少一N型裸露部24P，其中所述N型裸露部24P自所述P型半导体层23P经所述有源区22P延伸至所述N型半导体层21P，以暴露所述N型半导体层21P的一部分表面。所述反射层30P层叠于所述P型半导体层23P，所述阻挡层40P以包覆所述反射层30P的方式层叠于所述P型半导体层23P。所述N欧姆接触层50P以被保持在所述N型裸露部24P的方式层叠于所述N型半导体层21P。所述第一绝缘层60P层叠于所述外延叠层20P、所述阻挡层40P和所述N欧姆接触层50P，其中所述第一绝缘层60P具有至少一第一通道61P和至少一第二通道62P，其中所述第一绝缘层60P的所述第一通道61P延伸至所述N欧姆接触层50P，所述第一绝缘层60P的所述第二通道62P延伸至所述阻挡层40P。所述扩展电极层70P包括至少一第一扩展电极部71P和至少一第二扩展电极部72P，其中所述第一扩展电极部71P层叠于所述第一绝缘层60P，并且所述第一扩展电极部71P经所述第一绝缘层60P的所述第一通道61P延伸至和电连接于所述N欧姆接触层，其中所述第二扩展电极部72P层叠于所述第一绝缘层60P，并且所述第二扩展电极部72P经所述第一绝缘层60P的所述第二通道62P延伸至和电连接于所述阻挡层40P。所述第二绝缘层80P层叠于所述第一扩展电极部71P和所述第二扩展电极部72P，并且所述第二绝缘层80P填充在形成于所述第一扩展电极部71P和所述第二扩展电极部72P之间的缝隙。所述第二绝缘层80P具有至少一第三通道81P和至少一第四通道82P，其中所述第二绝缘层80P的所述第三通道81P延伸至所述第一扩展电极部71P，所述第二绝缘层80P的所述第四通道82P延伸至所述第二扩展电极部72P。所述电极组90P包括一N型电极91P和一P型电极92P，其中所述N型电极91P层叠于所述第二绝缘层80P，并且所述N型电极91P经所述第二绝缘层80P的所述第三通道81P延伸至和电连接于所述第一扩展电极部71P，所述P型电极92P经所述第二绝缘层80P的所述第四通道82P延伸至和电连接于所述第二扩展电极部72P。