[发明专利]倒装发光芯片及其制造方法

权利要求书

1.一倒装发光芯片，其特征在于，包括：

一衬底；

一外延叠层，其包括一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，其中所述衬底、所述N型半导体层、所述有源区和所述P型半导体层依次层叠；

一反射层，其中所述反射层层叠于所述P型半导体层；

一阻挡层，其以包覆所述反射层的方式层叠于所述P型半导体层；

一第一绝缘层，其层叠于所述阻挡层，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述第一通道延伸至所述N型半导体层，所述第二通道延伸至所述阻挡层；

一扩展电极层，其包括一第一扩展电极部和一第二扩展电极部，其中所述第一扩展电极部具有至少一第一扩展电极针，在所述第一扩展电极部层叠于所述第一绝缘层时，所述第一扩展电极针形成于所述第一通道和电连接于所述N型半导体层，其中所述第二扩展电极部具有至少一第二扩展电极针，在所述第二扩展电极部层叠于所述第一绝缘层时，所述第二扩展电极针形成于所述第二通道和电连接于所述阻挡层；以及

一电极组，其包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极电连接于所述第一扩展电极部，所述P型电极电连接于所述第二扩展电极部。

2.根据权利要求1所述的倒装发光芯片，其中所述外延叠层具有至少一半导体裸露部，其自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层，其中所述阻挡层具有至少一阻挡层穿孔，其中所述外延叠层的所述半导体裸露部和所述阻挡层的所述阻挡层穿孔相连通，所述第一绝缘层经所述阻挡层的所述阻挡层穿孔和所述外延叠层的所述半导体裸露部延伸至所述N型半导体层。

3.根据权利要求2所述的倒装发光芯片，其中所述反射层具有至少一反射层穿孔，其中所述外延叠层的所述半导体裸露部对应于所述反射层的所述反射层穿孔，并且所述外延叠层的所述半导体裸露部的尺寸小于所述反射层穿孔的尺寸，以使所述P型半导体层的一部分表面被暴露在所述反射层穿孔，从而允许所述阻挡层层叠于所述P型半导体层的被暴露在所述反射层穿孔的表面。

4.根据权利要求3所述的倒装发光芯片，其中所述反射层的长宽尺寸小于所述P型半导体层的长宽尺寸，以使所述P型半导体层的周缘被暴露，从而允许所述阻挡层层叠于所述P型半导体层的被暴露的周缘。

5.根据权利要求1至4中任一所述的倒装发光芯片，其中所述外延叠层具有至少一衬底裸露部，其自所述P型半导体层经所述有源区和所述N型半导体层延伸至所述衬底，其中所述第一绝缘层以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底。

6.根据权利要求5所述的倒装发光芯片，其中所述衬底裸露部环绕所述外延叠层的四周。

7.根据权利要求1至6中任一所述的倒装发光芯片，其中所述反射层是一个多层层叠结构的反射层。

8.根据权利要求7所述的倒装发光芯片，其中所述反射层包括一第一反射金属材料层和一第二反射金属材料层，所述第一反射金属材料层层叠于所述P型半导体层，所述第二反射金属材料层层叠于所述第一反射金属材料层，其中所述第一反射金属材料层的材料选自：铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)和金(Au)组成的材料组，其中所述第二反射金属材料层的材料选自：铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、镍(Ni)组成的材料组。

9.根据权利要求1至8中任一所述的倒装发光芯片，其中所述阻挡层是一个多层层叠结构的阻挡层。

10.根据权利要求9所述的倒装发光芯片，其中所述阻挡层包括一第一阻挡金属材料层和一第二阻挡金属材料层，所述第一阻挡金属材料层以包覆所述反射层的方式层叠于所述P型半导体层，所述第二阻挡金属材料层层叠于所述第一阻挡金属材料层，其中所述第一阻挡金属材料层的材料选自：镍(Ni)、钛(Ti)和铬(Cr)组成的材料组，所述第二阻挡金属材料层的材料选自：铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、镍(Ni)组成的材料组。