[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底(10)、设于所述衬底(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)及衬底(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的氧化物半导体层(40)、设于所述氧化物半导体层(40)上的阻挡层(50)以及设于所述氧化物半导体层(40)及栅极绝缘层(30)上的源极(60)及漏极(70)；

所述氧化物半导体层(40)包括：沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的两接触区(42)，所述源极(60)及漏极(70)分别与两接触区(42)接触，所述阻挡层(50)位于所述沟道区(41)上；

所述沟道区(41)包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道条(411)，所述阻挡层(50)包括分别对应位于所述多个沟道条(411)上的多个阻挡条(511)；

所述沟道区(41)与阻挡层(50)的交界位置具有氟离子，所述氟离子占据沟道区(41)中的氧空位。

2.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底(10)为柔性衬底。

3.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层(40)的材料为IGZO。

4.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层(50)的材料为氧化硅。

5.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一基板(100)，在所述基板(100)上形成衬底(10)；

步骤S2、在所述衬底(10)上形成栅极(20)，在所述栅极(20)及衬底(10)上形成栅极绝缘层(30)；

步骤S3、在栅极绝缘层(30)形成氧化物半导体薄膜(200)及位于所述氧化物半导体薄膜(200)上的阻挡薄膜(300)；

步骤S4、对所述氧化物半导体薄膜(200)及阻挡薄膜(300)进行图案化，得到氧化物半导体层(40)及阻挡层(50)；所述氧化物半导体层(40)包括：沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的两接触区(42)，所述阻挡层(50)位于所述沟道区(41)上；所述沟道区(41)包括沿沟道宽度方向间隔排列的多个沟道条(411)，所述阻挡层(50)包括分别对应位于所述多个沟道条(411)上的多个阻挡条(511)；

步骤S5、在所述氧化物半导体层(40)及栅极绝缘层(30)形成源极(60)及漏极(70)，所述源极(60)及漏极(70)分别与两接触区(42)接触；

所述步骤S4中对所述半导体薄膜(200)及阻挡薄膜(300)进行图案化时，采用含氟气体刻蚀所述阻挡薄膜(300)。

6.如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括步骤S6、对所述阻挡层(50)进行烘烤。

7.如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底(10)为柔性衬底。

8.如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述沟道区(41)的材料为IGZO，所述阻挡层(50)的材料为氧化硅。