[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括PMOS区；

在所述鳍部露出的衬底上形成第一隔离层，露出于所述第一隔离层的鳍部作为鳍部第一区域，未露出的鳍部作为鳍部第二区域；

对所述PMOS区的鳍部第一区域的侧壁进行氧化处理，将所述PMOS区鳍部第一区域侧壁的材料转化成氧化层；

将所述PMOS区鳍部第一区域侧壁的材料转化成氧化层后，在所述第一隔离层上形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述鳍部第一区域的部分侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述鳍部露出的衬底上形成第一隔离层的步骤中，所述第一隔离层的厚度为至

在所述第一隔离层上形成第二隔离层的步骤中，所述第二隔离层的厚度为至

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔离层的步骤中，所述第二隔离层的材料为氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔离层的步骤包括：在所述第一隔离层上形成初始第二隔离层，所述初始第二隔离层覆盖所述鳍部顶部；

去除部分厚度的初始第二隔离层，保留剩余的初始第二隔离层作为所述第二隔离层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的初始第二隔离层的步骤中，还包括：去除所述PMOS区鳍部第一区域侧壁的部分氧化层，剩余所述氧化层顶部和所述第二隔离层的顶部齐平。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的初始第二隔离层的工艺为SiCoNi工艺。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括NMOS区；

形成第一隔离层后，对所述PMOS区的鳍部第一区域的侧壁进行氧化处理之前，还包括：形成覆盖所述NMOS区鳍部第一区域侧壁和顶部的保护层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述NMOS区鳍部第一区域侧壁和顶部的保护层的步骤包括：形成保形覆盖所述第一隔离层顶部、所述鳍部第一区域侧壁和顶部的保护膜；

去除所述PMOS区上的保护膜，保留所述NMOS区上的保护膜作为所述保护层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保形覆盖所述第一隔离层顶部、所述鳍部第一区域侧壁和顶部的保护膜的工艺为原子层沉积工艺。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述NMOS区鳍部第一区域侧壁和顶部的保护层的步骤中，所述保护层的厚度为至

11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述NMOS区鳍部第一区域侧壁和顶部的保护层的步骤中，所述保护层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

12.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述PMOS区上保护膜的工艺为湿法刻蚀工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述PMOS区的鳍部第一区域的侧壁进行氧化处理的步骤中，所述氧化处理的工艺为原位蒸汽生成工艺。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底还包括凸出于所述衬底的伪鳍部；

将所述PMOS区鳍部第一区域侧壁的材料转化成氧化层后，在所述第一隔离层上形成所述第二隔离层前，还包括：刻蚀所述伪鳍部。