[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810845866.0 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN108962960B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 宋威;闫梁臣;赵策;王东方;周斌;丁远奎;刘军;胡迎宾;李伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,OLED显示基板的制作方法,包括:利用金属形成像素界定层过渡图形;对所述像素界定层过渡图形进行氧化,形成绝缘的像素界定层。本发明的技术方案能够降低OLED显示基板制作工艺的复杂性,降低OLED显示基板的制作成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
顶发射OLED(有机电致发光二极管)发出的光从远离衬底的方向出射,由于发光面积不受带有TFT(薄膜晶体管)驱动电路的背板的影响,因此顶发射OLED与传统的底发射OLED相比具有更高的开口率,即发光面积占像素面积的比例更高。高开口率使得顶发射OLED达到与低发射OLED相同亮度所需的驱动电流也更小,这有利于延长OLED的寿命。此外,在同样的发光效率和发光面积的前提下,顶发射OLED显示屏的像素面积也可以做得更小,即顶发射OLED有利于提高显示屏的分辨率,因而顶发射OLED是研发的一个重点方向。
由于顶发射OLED光从远离衬底的一侧发出,因而靠近衬底一侧的阳极可以使用高反射的材料,常用的反射阳极有ITO/Al/ITO,ITO/Ag/ITO等。目前顶发射OLED显示屏像素界定层的制备方法为在反射阳极(例如:ITO/Al/ITO)制备完成后,在反射阳极上方通过涂覆有机材料制备像素界定层,像素界定层包括像素开口区以及Bank(挡墙)区,其制作工艺一般包括像素界定层材料的涂覆、曝光、显影、固化等工艺,在有机材料去除的区域形成像素开口区,有机材料保留的区域形成Bank区。由于该方法是采用有机材料来形成像素界定层,需要用到大量的有机溶剂,会对环境造成污染,此外制备像素界定层的有机材料价格昂贵,并且制备像素界定层的工艺复杂,增加了OLED显示屏的生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,能够降低OLED显示基板制作工艺的复杂性,降低OLED显示基板的制作成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种OLED显示基板的制作方法,包括:
利用金属形成像素界定层过渡图形;
对所述像素界定层过渡图形进行氧化,形成绝缘的像素界定层。
进一步地,通过一次构图工艺利用金属形成阳极的至少一部分和所述像素界定层过渡图形。
进一步地,所述利用金属形成阳极的至少一部分和所述像素界定层过渡图形包括:
形成金属层;
对所述金属层进行构图,形成第一金属图形和位于所述第一金属图形上的多个间隔排布的金属挡墙,所述金属挡墙限定出多个像素开口区域,所述第一金属图形为所述阳极的一部分,所述金属挡墙为所述像素界定层过渡图形。
进一步地,形成所述阳极还包括:
在形成所述金属层之前,形成第二透明导电图形,所述第二透明导电图形在所述第一金属图形所在平面上的正投影与所述第一金属图形重合。
进一步地,形成所述阳极还包括:
在所述像素开口区域内形成第三透明导电图形。
进一步地,所述利用金属形成阳极的至少一部分和所述像素界定层过渡图形包括:
形成金属层;
对所述金属层进行构图,形成第一金属图形,所述第一金属图形包括组成阳极的第一部分和所述像素界定层过渡图形,所述第一部分和所述像素界定层过渡图形交替设置,所述第一部分和所述像素界定层过渡图形的上表面齐平。
进一步地,形成所述阳极还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的