[发明专利]一种基于micro LED技术的新型微显示器件及其制造方法在审
申请号: | 201810640666.1 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN108711576A | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 邢彦文;李传南;许桂林;张海明;向浩 | 申请(专利权)人: | 邢彦文;许桂林;向浩 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/00;G09F9/33 |
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地址: | 200437 上海市虹*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 微显示器件 电极层 石墨烯 硅基 像素驱动电路 像素单元 防护层 平整层 衬底 防眩 制造 集成电路设计 微型化 石墨烯薄膜 石墨烯材料 单独驱动 高透光率 工艺制作 硅基晶圆 技术指标 模组封装 直接形成 产业化 微米级 上层 芯片 测试 图像 分割 | ||
本发明涉及一种基于micro LED技术的新型微显示器件及其制造方法,所述新型微显示器件采用硅基+micro LED的结构,在硅基上直接形成像素驱动电路,然后在上层制备微型化的micro LED阵列,形成一个个的像素单元,每个像素单元单独驱动以形成图像,并采用石墨烯材料制备电极层和防眩防护层;所述制造方法包括A)集成电路设计;B)硅基晶圆制备;C)在硅基上采用CMOS集成电路工艺制作像素驱动电路,形成衬底;D)在衬底上制备平整层;E)在平整层上方制备石墨烯电极层;F)在石墨烯电极层上制备微米级micro LED阵列;G)采用高透光率石墨烯薄膜制备石墨烯防眩防护层;H)芯片分割、测试、模组封装及引线,与现有技术相比,本发明结构简单,大幅提高了技术指标,并可快速实现产业化。
技术领域
本发明涉及电子元器件领域,尤其是涉及基于micro LED技术的新型微显示器件及其制造方法,主要应用于微型投影光引擎,可制造多种微型投影显示视频终端产品。
背景技术
目前用于微型投影显示终端的核心微显示器件相对较成熟的主流技术主要是DLP(Digital Light Processing,数字光处理技术)和LCOS(Liquid Crystal On Silicone,硅基液晶光技术),DLP目前为美国TI全球独家垄断,国内微投产业发展严重受其绝对定价权限制,而LCOS由于良品率低等原因难以得到有效的产业化发展,且二者皆为反射式投影显示系统,所形成的光引擎均存在一定的能量损耗,光利用率普遍不高。随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展,未来可期的主流微显示技术为AMOLED(有源有机发光二极管技术)和micro LED无机发光二极管技术,二者由于都是自发光,均可设计为直射式光引擎系统,四种显示技术性能对比如下:
分类 DLP LCOS AMOLED Micro LED 显示系统 反射式 反射式 直射式 直射式 发光效率 相对较低 10% 50% 100% 发光能量密度 10(低) 10(低) 10(低) 100(高) 像素密度 300ppi 300ppi 600ppi 1500ppi 工作电压 高 高 低 最低 工作温度 -40℃~105℃ -40℃~100℃ -30℃~85℃ -100℃~120℃ 光学结构 复杂 复杂 较简单 简单 反应时间 毫秒(ms) 毫秒(ms) 微秒(us) 纳秒(ns)
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邢彦文;许桂林;向浩,未经邢彦文;许桂林;向浩许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的