[发明专利]一种基于micro LED技术的新型微显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于micro LED技术的新型微显示器件，其特征在于：所述新型微显示器件针对产品应用特征，采用硅基+micro LED的结构，根据芯片设计，在硅基上直接形成像素驱动电路，然后在上层制备微型化的micro LED阵列，形成一个个的像素单元，每个像素单元单独驱动以形成图像。

2.根据权利要求1所述的一种基于micro LED技术的新型微显示器件，其特征在于，所述像素单元从下向上依次为单晶硅层、CMOS像素驱动电路层、平整层、电极层、RGB microLED层以及石墨烯防眩防护层，最底层为单晶硅层，表层为石墨烯防眩防护层。

3.根据权利要求2所述的一种基于micro LED技术的新型微显示器件，其特征在于，所述电极层为采用化学CVD、等离子等设备工艺技术在硅基上直接生成的石墨烯薄膜。

4.根据权利要求2所述的一种基于micro LED技术的新型微显示器件，其特征在于，所述石墨烯防眩防护膜为直接生成的高透光率石墨烯薄膜。

5.一种基于micro LED技术的新型微显示器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)集成电路设计；

B)硅基晶圆制备；

C)在硅基上采用CMOS集成电路工艺制作像素驱动电路，形成衬底；

D)在衬底上制备平整层；

E)在平整层上方制备石墨烯电极层；

F)在石墨烯电极层上制备微米级micro LED阵列；

G)采用高透过率石墨烯薄膜制备石墨烯防眩防护层；

H)芯片分割、测试、模组封装及引线。

6.根据权利要求5所述的一种基于micro LED技术的新型微显示器件的制造方法，其特征在于，所述步骤F)具体包括：

F1)采用传统的LED工艺和缩微阵列技术做好RGB阵列，所制作的微显示器件用于高亮度产品；

F2)采用先做好微米级蓝光LED阵列，然后利用绿光和红光转换材料，通过平面工艺涂覆和刻蚀设备工艺实现RGB micro LED阵列，做好转换方式的微显示器，用于相对低亮度的产品。

7.根据权利要求5所述的一种基于micro LED技术的新型微显示器件的制造方法，其特征在于，所述步骤H)具体包括：

H1)芯片分割、测试、多引线焊接，传统方形模组封装；

H2)芯片分割、测试、挠性引线式焊接、封装。