[发明专利]电子装置、用于电子装置的引线框架以及制造电子装置和引线框架的方法

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

半导体芯片，以及

包括第一类引线和第二类引线的引线框架，

其中，在垂直于所述第一类引线和所述第二类引线的公共平面的方向上所述第二类引线中的引线的厚度小于所述第一类引线中的引线的厚度，其中，包封体包封所述半导体芯片，其中，所述包封体之外的所述第二类引线中的引线的间距小于所述包封体之外的所述第一类引线中的引线的间距，其中，所述第一类引线和所述第二类引线被共面布置，并且其中，所述第二类引线中的引线的间距等于或小于所述第二类引线中的引线的厚度的80％。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二类引线中的引线比所述第一类引线中的引线薄了等于或大于10％或20％或30％或40％或50％或60％或70％或80％。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二类引线中的引线具有等于或小于0.1mm或0.2mm或0.25mm或0.3mm或0.4mm或0.5mm或0.6mm或0.7mm的厚度。

4.根据前述权利要求之一所述的电子装置，其中，所述第二类引线包括所述电子装置的I/O端子、栅极端子、电压感测端子以及温度感测端子中的一者或多者。

5.一种用于电子装置的引线框架，包括：

包括第一类引线的第一引线框架部分，以及

包括第二类引线的第二引线框架部分，

其中，在垂直于所述第一类引线和所述第二类引线的公共平面的方向上所述第二类引线中的引线的厚度小于所述第一类引线中的引线的厚度，其中，包封体包封所述电子装置中的半导体芯片，其中，所述包封体之外的所述第二类引线中的引线的间距小于所述包封体之外的所述第一类引线中的引线的间距，其中，所述第一类引线和所述第二类引线被共面布置，并且其中，所述第二类引线中的引线的间距等于或小于所述第二类引线中的引线的厚度的80％。

6.根据权利要求5所述的引线框架，其中，所述第一引线框架部分和所述第二引线框架部分具有不同的材料组成。

7.根据权利要求5到6之一所述的引线框架，其中，所述引线框架还包括框架，并且

其中，所述第二引线框架部分固定到所述框架。

8.根据权利要求7所述的引线框架，其中，所述第二引线框架部分被焊接到所述框架。

9.一种用于制造电子装置的方法，所述方法包括：

提供半导体部件；

提供包括第一引线框架部分和第二引线框架部分的引线框架，所述第一引线框架部分包括第一类引线，所述第二引线框架部分包括第二类引线；

将所述半导体部件连接到所述第一类引线和所述第二类引线中的一个或多个；

其中，在垂直于所述第一类引线和所述第二类引线的公共平面的方向上所述第二类引线中的引线的厚度小于所述第一类引线中的引线的厚度，其中，包封体包封所述半导体部件，其中，所述包封体之外的所述第二类引线中的引线的间距小于所述包封体之外的所述第一类引线中的引线的间距，其中，所述第一类引线和所述第二类引线被共面布置，并且其中，所述第二类引线中的引线的间距等于或小于所述第二类引线中的引线的厚度的80％。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

将所述第二引线框架部分固定到所述第一引线框架部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述固定包括焊接，尤其是超声波焊接。

12.根据权利要求9到11之一所述的方法，还包括：

减薄所述第二引线框架部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述减薄包括锤击和去除多余材料中的一种或多种。