[发明专利]光半导体元件、光组件及光模块

权利要求书

1.一种光半导体元件，其特征在于，具备：

InP基板，

配置于所述InP基板的上方的活性层，

配置于所述活性层的下方的第一导电型半导体层，以及

配置于所述活性层的上方的第二导电型包覆层，

所述第二导电型包覆层包含1层或多层第二导电型In_1-xAl_xP层，

在所述1层或多层第二导电型In_1-xAl_xP层的各层中，Al组成x为相当于第二导电型掺杂剂的掺杂浓度的值以上，

将所述第二导电型包覆层整体的总层厚设为临界层厚，所述第二导电型包覆层整体的平均应变量的绝对值为通过Matthews的关系式求得的临界应变量的绝对值以下。

2.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第二导电型包覆层包含1层第二导电型In_1-xAl_xP层，

所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层的Al组成x为相当于所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层中的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度的值以上，

将所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层的层厚设为临界层厚，所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层的应变量的绝对值为通过Matthews的关系式求得的临界应变量的绝对值以下。

3.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第二导电型包覆层包含1层第二导电型InP层和1层第二导电型In_1-xAl_xP层，

所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层的Al组成x为相当于所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层中的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度的值以上，

将所述第二导电型包覆层整体的总层厚设为临界层厚，将由Matthews的关系式求得的临界应变量设为所述第二导电型包覆层整体的平均应变量，所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层的应变量的绝对值为由该平均应变量求得的所述1层第二导电型In_1-xAl_xP层的应变量以下。

4.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第二导电型包覆层除了n层第二导电型In_1-xAl_xP层以外，进一步包含在所述n层第二导电型In_1-xAl_xP层中相邻的第二导电型In_1-xAl_xP层之间分别配置的n-1层第二导电型InP层，其中，n为2以上的整数。

5.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述光半导体元件为半导体发光元件，

所述InP基板为第一导电型InP基板，

所述第二导电型包覆层整体的层厚为0.5μm以上2μm以下。

6.根据权利要求5所述的光半导体元件，其进一步包含在所述活性层与所述第二导电型包覆层之间配置的衍射光栅层。

7.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述光半导体元件为半导体光调制器，

所述InP基板为第一导电型InP基板，

所述第二导电型包覆层整体的层厚为0.5μm以上2μm以下。

8.根据权利要求1所述的光半导体元件，其特征在于，

所述光半导体元件为半导体受光元件，

所述InP基板为半绝缘性InP基板，

所述第二导电型包覆层整体的层厚为0.5μm以上2μm以下。