[发明专利]一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作；若所述执行编程操作的总次数小于设定阈值，则对编程区域中设定等级的存储单元进行编程校验；若所述执行编程操作的总次数大于等于设定阈值，则对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的所有等级的存储单元进行编程校验；当编程区域的所有存储单元的校验结果均为通过时，编程过程结束，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作的步骤。通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。

技术领域

本发明实施例涉及存储技术领域，具体涉及一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

非易失闪存介质(Nand flash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read-Only Memory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛应用到电子产品中。按照每个存储单元存储数据的位数划分，Nand flash可被分成三类，分别是SLC(Single-Level Cell，单层单元)、MLC(Multi-Level Cell，多层单元)和TLC(Triple-Level Cell，三层单元)，其中，SLC的每个存储单元存储一位(1bit)数据，MLC的每个存储单元存储2bit数据，TLC的每个存储单元存储3bit数据。数据的存储是通过控制存储单元阈值电压的分布来实现的，具体参见图1所示的一种TLC的存储单元阈值电压分布示意图，当存储单元的阈值电压落在A区域时，表示存储单元当前存储的数据为001，当存储单元的阈值电压落在B区域时，表示存储单元当前存储的数据为010，……当存储单元的阈值电压落在G区域时，表示存储单元当前存储的数据为111。

因此，要实现TLC存储单元正确存储数据，需要通过复杂的算法控制存储单元的阈值分布。参见图1所示，编程区域的所有存储单元的等级包括A-G七个等级，存储单元的等级A-G依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分，目标阈值电压的分布范围越高，则对应存储单元的等级越高。现有方案中，在对TLC的存储单元执行编程时，通常采用先对所有等级的存储单元执行编程操作，然后逐个校验，即先对包括等级A-G的所有存储单元执行编程操作，然后分别对等级为A、B、C、D、E、F以及G的存储单元进行编程校验，只有当所有等级的存储单元的校验结果均是通过(pass)时，整个编程过程才能结束，若有任何一个等级的存储单元的校验结果为不通过(fail)，则需要重新对校验没通过的存储单元执行编程操作，然后再逐个校验，重复上述的编程-校验循环，直到所有等级的存储单元的校验结果均是通过，编程过程结束。可见，现有的编程过程需要花费较长的时间。

发明内容

本发明提供一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质，实现了可以快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，缩短了编程时间。

为实现上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种存储单元的编程方法，所述方法包括：

对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作；

若所述执行编程操作的总次数小于设定阈值，则对编程区域中设定等级的存储单元进行编程校验；

若所述执行编程操作的总次数大于等于设定阈值，则对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的所有等级的存储单元进行编程校验；

当编程区域的所有存储单元的校验结果均为通过时，编程过程结束，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作的步骤。

进一步的，所述对编程区域中设定等级的存储单元进行编程校验，包括：