[发明专利]一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种存储单元的编程方法、装置及电子设备，该方法包括：对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验；若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。

技术领域

本发明实施例涉及存储技术领域，具体涉及一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

非易失闪存介质(Nand flash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read-Only Memory，ROM) 的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛应用到电子产品中。

按照每个存储单元存储数据的位数划分，Nand flash可被分成三类，分别是SLC(Single-Level Cell，单层单元)、MLC(Multi-Level Cell，多层单元) 和TLC(Triple-Level Cell，三层单元)，其中，SLC的每个存储单元存储一位 (1bit)数据，MLC的每个存储单元存储2bit数据，TLC的每个存储单元存储 3bit数据。数据的存储是通过控制存储单元阈值电压的分布来实现的，具体参见图1所示的一种TLC的存储单元阈值电压分布示意图，当存储单元的阈值电压落在A区域时，表示存储单元当前存储的数据为001，当存储单元的阈值电压落在B区域时，表示存储单元当前存储的数据为010，……当存储单元的阈值电压落在G区域时，表示存储单元当前存储的数据为111。

因此，要实现TLC存储单元正确存储数据，需要通过复杂的算法控制存储单元的阈值分布。如何快速地使TLC存储单元的阈值电压被编程到预期状态，成为了本领域专业人员共同努力的事情。

发明内容

本发明提供一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质，实现了可以快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。

为实现上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种存储单元的编程方法，所述方法包括：

对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；

对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验；

若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。

进一步的，所述设定存储单元为编程区域中目标阈值电压分布在较低范围的存储单元。

进一步的，所述对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验包括：

对所述设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元。

进一步的，所述对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验包括：

对所述设定存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验；

若编程校验不通过，则返回执行对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤；

若编程校验通过，则屏蔽该存储单元，并继续对所述设定存储单元剩余的存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验；

重复上述校验结果的判断操作，直到所述设定存储单元的编程校验均通过；