[发明专利]微电子装置

权利要求书

1.一种微电子装置，其特征在于，包括：

基板；

第一微电子组件，安装在该基板上，其中，该第一微电子组件包括数字/模拟IP模块和RF IP模块；

第二微电子组件，安装在该基板上，其中，该第一微电子组件和该第二微电子组件以并排方式安装在该基板上；

屏蔽壳，安装在该基板上，其中，该屏蔽壳包括盖子、多个侧壁以及一个中间壁，该第一微电子组件和该第二微电子组件分别位于该屏蔽壳内的两个分开的隔室中，以及，该中间壁位于该第一微电子组件和该第二微电子组件之间；

散热介质材料层，位于该盖子和该第一微电子组件之间；以及

噪声抑制结构，位于该散热介质材料层和该第一微电子组件之间；

其中，该噪声抑制结构由柔性材料构成，该柔性材料能够抑制该数字/模拟IP模块产生的噪声并阻断穿过该散热介质材料层和该盖子的噪声耦合；

或者，

该噪声抑制结构包括具有导电粘合剂的导电织物、铜箔、金属薄膜和镀铜聚酯布中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该第一微电子组件是RF系统级芯片或RF系统级封装。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该第一微电子组件的该数字/模拟IP模块比该RF IP模块更靠近该中间壁。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该中间壁直接通过焊料和位于该中间壁下方的导电焊垫电连接到该基板的接地层。

5.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该散热介质材料层直接接触该盖子和该噪声抑制结构。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该噪声抑制结构与该第一微电子组件直接接触。

7.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该噪声抑制结构覆盖该第一微电子组件的整个上表面，以及，该散热介质材料层与该第一微电子组件不直接接触。

8.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该噪声抑制结构部分地覆盖该第一微电子组件的上表面，以及，该散热介质材料层与该第一微电子组件直接接触。

9.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该噪声抑制结构连接到该微电子装置的直接接地部分，以及，该直接接地部分相较于该RF IP模块更靠近有噪声的该数字/模拟IP模块。

10.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该柔性材料连接至该中间壁，以及，该中间壁接地。

11.根据权利要求4所述的微电子装置，其特征在于，该噪声抑制结构包括连接部分，该连接部分的末端被粘附到该中间壁，使得该噪声抑制结构通过该连接部分和该中间壁电耦接到该基板的该接地层。

12.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，该噪声抑制结构直接连接到该基板上的接地焊垫，或者，该噪声抑制结构电连接到该第一微电子组件的接地。